[发明专利]一种用于化学机械抛光的浆料分布设备在审
申请号: | 202010029936.2 | 申请日: | 2020-01-13 |
公开(公告)号: | CN111211050A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 杨老又 | 申请(专利权)人: | 杨老又 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214500 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 化学 机械抛光 浆料 分布 设备 | ||
本发明公开了一种用于化学机械抛光的浆料分布设备,其结构包括第一电机、工件吸盘、顶架、浆料集中分布装置、导液管、液箱、底架、底座,本发明具有的效果:通过多向排液机构形成的浆液循环结构,能够在工件化学抛光中使研磨浆液在集液圆框和液箱之间循环,利用回液滤杂环筒作为研磨浆液过滤介质,能够滤化使用后的研磨浆液,使含有的研磨颗粒继续回流至集液圆框,从而减少研磨浆液的过量浪费,通过集中汇液机构形成的浆液汇流结构,能够使转盘沿集液圆框转动中,对排入集液圆框中的浆液进行定向集流,使新鲜的浆料及时不断输到工件下面,同时也可以及时地将研磨产生的副产物排除,提高了工件和浆液的反应效果,降低了工件抛光的时间。
技术领域
本发明涉及化学抛光领域,尤其是涉及到一种用于化学机械抛光的浆料分布设备。
背景技术
化学机械抛光技术是集成电路制造中获得全局平坦化的一种手段,这种工艺就是为了能够获得既平坦、又无划痕和杂质玷污的表面而专门设计的,化学机械抛光技术属于化学作用和机械作用相结合的技术,通过在化学作用过程和机械作用过程的交替进行中完成工件表面抛光,现有化学机械抛光设备的工件是固定在一个旋转的吸盘上,该吸盘又与一个旋转的抛光盘沿边相接触,之间产生的旋转动能,使浆料在抛光盘表面多向分布,这导致浆料难以及时集中不断输到工件下面,降低了工件和浆液的反应效果,延长了工件抛光时间,因此需要研制一种用于化学机械抛光的浆料分布设备,以此来解决现有化学机械抛光设备的工件是固定在一个旋转的吸盘上,该吸盘又与一个旋转的抛光盘沿边相接触,之间产生的旋转动能,使浆料在抛光盘表面多向分布,这导致浆料难以及时集中不断输到工件下面,降低了工件和浆液的反应效果,延长了工件抛光时间的问题。
针对现有技术的不足,本发明是通过如下的技术方案来实现:一种用于化学机械抛光的浆料分布设备,其结构包括第一电机、工件吸盘、顶架、浆料集中分布装置、导液管、液箱、底架、底座,所述的底座顶部设有底架,所述的底架垂直安装在底座上,所述的底架内部设有液箱,所述的液箱安装在底架上,所述的底架两侧设有导液管,所述的导液管和液箱连接,所述的底架顶部设有浆料集中分布装置,所述的浆料集中分布装置垂直安装在底架上,所述的浆料集中分布装置顶部设有顶架,所述的顶架和浆料集中分布装置连接,所述的顶架底部中心位置设有工件吸盘,所述的顶架顶部中心位置设有第一电机。
作为本技术方案的进一步优化,所述的浆料集中分布装置由多向排液机构、集中汇液机构、回液滤杂环筒、液压杆、稳向外架、第二电机组成,所述的多向排液机构内部设有集中汇液机构,所述的集中汇液机构和多向排液机构相配合,所述的集中汇液机构底部设有回液滤杂环筒,所述的回液滤杂环筒和集中汇液机构相配合,所述的回液滤杂环筒下方设有稳向外架,所述的稳向外架和底架相焊接,所述的稳向外架中心位置设有液压杆,所述的液压杆垂直安装在稳向外架上,所述的液压杆和集中汇液机构相配合,所述的液压杆底部设有第二电机。
作为本技术方案的进一步优化,所述的多向排液机构由集液圆框、排液环管、排液嘴、集液槽、轴套、出液孔组成,所述的集液圆框顶部设有排液环管,所述的排液环管嵌合安装在集液圆框凹槽上,所述的排液环管内圈上设有排液嘴,所述的集液圆框中心位置设有集液槽,所述的集液槽和集液圆框为一体化结构,所述的集液槽中心位置设有轴套,所述的轴套垂直安装在集液槽的槽口上,所述的集液槽内部均匀分布有出液孔,所述的出液孔和集液槽为一体化结构。
作为本技术方案的进一步优化,所述的集中汇液机构由转盘、导流隔条、集液抛光盘、防溢圆环组成,所述的转盘外圈上设有防溢圆环,所述的防溢圆环和转盘相扣合,所述的转盘中心位置设有集液抛光盘,所述的集液抛光盘扣合固定在转盘上,所述的转盘顶部均匀等距设有导流隔条,所述的导流隔条和转盘为一体化结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造