[发明专利]自对准局部互连

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

源极区和漏极区；

所述源极区之上的第一导电结构和所述漏极区之上的第二导电结构，所述第一导电结构和所述第二导电结构包括第一导电材料；

第三导电结构，其包括第二导电材料；以及

包括电介质材料的电介质结构，所述电介质结构在横向上处于所述第三导电结构与所述第一导电结构或所述第二导电结构中的一个之间，

其中，所述第一导电结构或所述第二导电结构中的所述一个的一部分横向延伸穿过所述电介质结构并接触所述第三导电结构的侧壁，所述部分为1nm或更长，并且具有相对于垂直平面测量的角度在15°至75°之间的表面。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一导电结构、所述第二导电结构和所述第三导电结构在所述集成电路结构的器件层内。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述部分在所述电介质结构的第一部分上方并且在所述电介质结构的第二部分下方。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一导电结构或所述第二导电结构中的所述一个是包括金属的插塞。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一导电结构或所述第二导电结构中的所述一个包括第一部分和第二部分，所述第一部分包括第一金属并且所述第二部分包括与所述第一金属不同的第二金属。

6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第三导电结构是至少部分在隔离壁结构内的导体。

7.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第三导电结构是栅极电极。

8.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第三导电结构是栅极电极之上的栅极接触部。

9.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述部分具有从1nm到10nm的长度。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的集成电路结构，其中，所述电介质结构包括栅极电介质层和栅极间隔体中的一个或两个。

11.根据权利要求1-9中任一项所述的集成电路结构，其中，所述电介质结构包括至少一层隔离壁结构。

12.根据权利要求1-9中任一项所述的集成电路结构，还包括在所述源极区和所述漏极区之间的半导体主体，所述半导体主体在所述第三导电结构的至少一部分之下。

13.根据权利要求12所述的集成电路结构，其中，所述半导体主体是鳍状物。

14.根据权利要求12所述的集成电路结构，其中，所述半导体主体是一个或多个纳米线和/或纳米带。

15.根据权利要求1-9中任一项所述的集成电路结构，其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料是相同的材料。

16.一种集成电路器件结构，包括：

源极区和漏极区；

所述源极区之上的第一接触结构和所述漏极区之上的第二接触结构；

拼合过孔结构，其具有与所述第一接触结构或所述第二接触结构中的一个接触的第一表面，所述拼合过孔具有相对于所述第一表面成45°至90°的角度的第二表面；以及

导体，其具有与所述拼合过孔结构的所述第二表面接触的外围表面。

17.根据权利要求16所述的集成电路器件结构，其中，所述导体不与所述拼合过孔结构同心地对准。

18.根据权利要求16所述的集成电路器件结构，还包括连接到所述导体的电源电路。