[发明专利]自对准局部互连

说明书

在一些实施例中，通过使用倾斜蚀刻以去除材料从而暴露相邻导体的一部分来形成半导体器件结构。然后，在形成接触部或其它导电结构(例如，和互连)期间，在去除材料时形成的空间可以被一种或多种导电材料填充。以此方式，接触部形成还填充了空间以形成倾斜的局部互连部分，该局部互连部分连接相邻的结构(例如，源极/漏极接触部到相邻的源极/漏极接触部，源极/漏极接触部到相邻的栅极接触部，源极/漏极接触部到也连接到栅极/源极/漏极接触部的相邻器件级导体)。在其它实施例中，在本文中被称为“拼合过孔”的互连结构从导电结构的横向相邻的外围表面建立电连接，所述导电结构并不彼此同轴、同心地对准。

背景技术

集成电路通常包括被电连接或布置为形成功能电路的晶体管。尽管实际上存在无限数目的电路配置，但是在一些情况下，给定的晶体管电路可以包括例如晶体管，该晶体管使其源极和漏极接触部中的一个或二者连接到同一晶体管的栅极接触部。同样地，晶体管可以使其源极、漏极和/或栅极接触部中的一个连接至相邻晶体管的源极、漏极和/或栅极接触部。这种连接通常涉及互连(例如，过孔和金属线)的使用。特别地，过孔可以从器件层内的第一半导体结构(例如，源极接触部、漏极接触部、栅极接触部)向上延伸到器件层上方的一个或多个互连层中，并连接至金属线。金属线可以依次连接到另一过孔，其向下延伸到器件层中的第二半导体结构(例如，相邻半导体器件的相邻源极接触部或漏极接触部、同一半导体器件的栅极区)。取决于过孔和金属线的配置，这些类型的连接可以被描述为“翻越(up-and-over)”互连或“环绕”互连，并且通常包括在与被连接的特征不同的层中延伸的横向金属。

附图说明

图1a示出了根据本公开的实施例的集成电路结构的穿过源极/漏极区并平行于栅极结构截取的截面图，该集成电路结构包括倾斜的局部互连，该局部互连从源极或漏极接触结构横向延伸到隔离壁结构中的导体。

图1b示出了根据本公开的另一实施例的集成电路结构的穿过源极/漏极区并平行于栅极结构截取的截面图，该集成电路结构包括倾斜的局部互连，该局部互连从源极或漏极接触结构横向延伸到隔离壁中的导体。

图1c示出了根据本公开的实施例(诸如图1a-1b中所示那些)的集成电路的截面的平面图，该集成电路包括倾斜的局部互连，该局部互连从源极和/或漏极接触结构横向延伸至隔离壁结构内的导体。

图2a示出了根据本公开的实施例的集成电路结构的穿过沟道区并垂直于栅极结构截取的截面图，该集成电路结构包括倾斜的局部互连，该局部互连从漏极接触结构横向延伸到栅极结构。

图2b示出了根据本公开的实施例的诸如图2a的集成电路结构的集成电路结构的示例性示意电路图。

图2c示出了根据本公开的另一实施例的集成电路结构的穿过沟道区并垂直于栅极结构截取的截面图，该集成电路结构包括倾斜的局部互连，该局部互连从源极接触结构横向延伸至栅极结构。

图2d示出了根据本公开的另一实施例的集成电路结构的穿过沟道区并垂直于栅极结构截取的截面图，该集成电路结构包括倾斜的局部互连，该局部互连从栅极结构横向延伸至漏极接触结构。

图2e示出了根据本公开的另一实施例的集成电路结构的穿过沟道区并垂直于栅极结构截取的截面图，该集成电路结构包括内部的倾斜的局部互连，该局部互连从漏极接触结构横向延伸至栅极结构。

图2f示出了根据本公开的实施例(例如图2a-2e中所示那些)的集成电路的截面的平面图，该集成电路包括倾斜的局部互连，该局部互连在栅极结构与源极或漏极接触结构之间横向延伸。

图3示出了根据本公开的实施例(例如图1a-1c和图2a-2e中所示那些)的集成电路的截面的平面图，该集成电路包括倾斜的局部互连，该局部互连在栅极结构与源极/漏极接触结构之间以及在源极/漏极/栅极结构与隔离壁结构内的导体之间横向延伸。

图4a至图4c示出了根据本公开的实施例的形成倾斜的局部互连以将源极/漏极接触结构与隔离壁结构内的导体连接的示例性过程。