[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

由第1导电型的大带隙半导体构成的半导体层；

在所述半导体层的表面部形成多个并分别构成单位单元的第2导电型的主体区域；

形成在所述主体区域的内侧的第1导电型的源极区域或第1导电型的发射极区域；

隔着栅极绝缘膜而与所述主体区域对置的栅极电极；

在所述半导体层的背面部相邻地形成的第1导电型的漏极区域及第2导电型的集电极区域；以及

所述主体区域与所述漏极区域之间的漂移区域，

所述集电极区域以在沿着所述半导体层的表面的X轴上覆盖至少包含两个所述单位单元的区域的方式形成。

2.一种半导体装置，包括：

由第1导电型的大带隙半导体构成的半导体层；

在所述半导体层的表面部形成的第2导电型的主体区域；

在所述主体区域的内侧形成的第1导电型的源极区域或第1导电型的发射极区域；

隔着栅极绝缘膜而与所述主体区域对置的栅极电极；

在所述半导体层的背面部相邻地形成的第1导电型的漏极区域及第2导电型的集电极区域；以及

所述主体区域与所述漏极区域之间的漂移区域，

所述集电极区域的沿着所述半导体层的表面的X轴宽度Wc为所述漂移区域的沿着所述半导体层的厚度方向的Y轴厚度Td的2倍以上。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，所述漏极区域具有与所述集电极区域相同或其以上的X轴宽度Wd。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，还包括第1导电型的场终止区域，在沿着所述半导体层的表面的X轴上以横跨所述漏极区域及所述集电极区域的方式形成，配置在所述漂移区域与所述漏极区域及所述集电极区域之间。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置，所述半导体装置包含在所述半导体层上配置有所述栅极电极的平面栅构造。

6.如权利要求1或2所述的半导体装置，所述半导体装置包含向形成在所述半导体层的沟槽埋入所述栅极电极的沟槽栅构造。

7.一种半导体装置，包括：

由第1导电型的大带隙半导体构成的半导体层；

在所述半导体层的表面部形成的第2导电型的主体区域；

在所述主体区域的内侧形成的第1导电型的源极区域或第1导电型的发射极区域；

隔着栅极绝缘膜而与所述主体区域对置的栅极电极；

在所述半导体层的背面部相邻地形成的第1导电型的漏极区域及第2导电型的集电极区域；

所述主体区域与所述漏极区域之间的漂移区域；以及

绝缘层，在沿着所述半导体层的厚度方向的Y轴上配置在所述漏极区域与所述集电极区域之间，并且相对于所述半导体层的背面比所述漏极区域及所述集电极区域更深地形成。

8.如权利要求7所述的半导体装置，所述绝缘层由绝缘膜或高电阻层构成。

9.如权利要求7或8所述的半导体装置，所述绝缘层由具有比SiC低的介电常数的绝缘材料构成。

10.如权利要求9所述的半导体装置，所述绝缘层由SiO₂构成。

11.如权利要求7或8所述的半导体装置，还包括场终止区域，在沿着所述半导体层的表面的X轴上以横跨所述漏极区域及所述集电极区域的方式形成，配置在所述漂移区域与所述漏极区域及所述集电极区域之间。