[发明专利]一种硅片清洗工艺

权利要求书

1.一种硅片清洗工艺，其特征在于：依次包括以下步骤：

第一步、强氧化性溶液清洗；

第二步、酸性溶液清洗；

第三步、纯水清洗。

2.根据权利要求1任一项所述的硅片清洗工艺，其特征在于：上述各清洗步骤均采用冲洗的方式进行，对着硅片依次喷强氧化性溶液、酸性溶液以及纯水三种清洗液。

3.根据权利要求2所述的硅片清洗工艺，其特征在于：上述每一步清洗时，硅片的上侧以及下侧均被喷清洗液。

4.根据权利要求3所述的硅片清洗工艺，其特征在于：清洗过程中，使得硅片处于旋转状态。

5.根据权利要求1至4任一项所述的硅片清洗工艺，其特征在于：每一硅片单独清洗。

6.根据权利要求1至5任一项所述的硅片清洗工艺，其特征在于：上述清洗步骤多次循环。

7.根据权利要求1至6任一项所述的硅片清洗工艺，其特征在于：经过纯水清洗后的硅片在无氧环境中进行干燥。

8.根据权利要求7所述的硅片清洗工艺，其特征在于：经过纯水清洗后的硅片在无氧环境中高速旋转而被甩干。

9.根据权利要求1至8所述的硅片清洗工艺，其特征在于：所述强氧化性溶液为双氧水或臭氧水。

10.根据权利要求9所述的硅片清洗工艺，其特征在于：所述酸性溶液为HCL或HF。