[发明专利]一种硅片清洗工艺

说明书

本发明提供一种硅片清洗工艺，其包括依次进行的强氧化性溶液清洗、酸性溶液清洗、纯水清洗，强氧化性溶液可与硅表面反应生成一层氧化硅薄膜，与硅片表面的金属离子反应生成金属氧化物，所述酸性溶液可与上述金属氧化物反应生成盐，上述氧化硅薄膜可与酸性溶液反应而被去除，纯水可将附在硅片表面的清溶液清洗干净，如此，本发明不但能清洗掉附着于硅片表面的颗粒物，还能清洗掉硅片表面的微观离子，从而经本发明清洗工艺清洗过的硅片表面洁净度高、性能好。

技术领域

本发明涉及硅片加工技术领域，尤其是涉及硅片清洗工艺

背景技术

随着规模集成电路的不断发展，其对硅片表面洁净度的要求也越来越高。目前的集成电路生产由于表面洁净度不够导致50％以上的材料被浪费，所以硅片的清洗至关重要。而硅片一般是在抛光后进行清洗，抛光时会用到抛光液，从而硅片抛光后，抛光液有些会附在硅片上，而抛光液中含金属离子；此外，抛光过程中所产生的硅粉以及空气中的粉尘等颗粒物也会附在硅片上。

目前的常规工艺有物理清洗和化学清洗两种。物理清洗包括刷洗、高压清洗、超声波清洗等，这种清洗工艺可除去抛光后附着于硅片上的颗粒污染。但是物理清洗处理不当易在硅片表面产生划痕。

化学清洗一般有酸洗(硝酸、硫酸、混合酸溶液)、溶剂萃取和等离子体法等，主要作用为去除微观离子等杂质。但是这些传统的化学清洗方法洗出来的硅片，其洁净度还是不能满足需求。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种硅片清洗工艺，其不但能清洗掉附着于硅片表面的颗粒物，还能清洗掉硅片表面的微观金属离子，从而清洗后的硅片表面洁净度高。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：

一种硅片清洗工艺，依次包括以下步骤：

第一步、强氧化性溶液清洗；

第二步、酸性溶液清洗；

第三步、纯水清洗。

较佳的，上述各清洗步骤均采用冲洗的方式进行，对着硅片依次喷强氧

化性溶液、酸性溶液以及纯水三种清洗液。

较佳的，上述每一步清洗时，硅片的上侧以及下侧均被喷清洗液。

较佳的，清洗过程中，使得硅片处于旋转状态。

较佳的，每一硅片单独清洗。

较佳的，上述清洗步骤多次循环。

较佳的，经过纯水清洗后的硅片在无氧环境中进行干燥。

较佳的，经过纯水清洗后的硅片在无氧环境中高速旋转而被甩干。

较佳的，所述强氧化性溶液为双氧水或臭氧水。

较佳的，所述酸性溶液为HCL或HF。

本发明的有益效果为：

经过本发明工艺清洗的硅片，其表面洁净度高，而且不会有划痕，能满足使用需求。

附图说明

图1为本发明硅片清洗工艺流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步的说明。

如图1所示，本发明公开了一种硅片清洗工艺，其依次包括如下步骤：

第一步、强氧化性溶液清洗；