[发明专利]壳体及其制备方法、电子设备

权利要求书

1.一种壳体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供金属陶瓷基体；

对所述金属陶瓷基体的表面进行蚀刻，以使蚀刻后的所述金属陶瓷基体包括层叠相连接的支撑层与纹理层，所述纹理层与所述支撑层上开设有通孔，所述通孔用于装设摄像头模组；以及

在所述纹理层背离所述支撑层的一侧形成外观保护层，从第一端到第二端的方向上所述外观保护层的厚度逐渐增加，所述通孔靠近所述第一端设置，使所述壳体的背面更加平整，所述外观保护层包括多组外观保护部，每组所述外观保护部包括层叠设置的第一子外观保护部与第二子外观保护部，所述第一子外观保护部包括二氧化硅或氧化钛，所述第二子外观保护部包括氧化钛或二氧化硅。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，“在所述纹理层背离所述支撑层的一侧形成外观保护层”包括：

将蚀刻后的所述金属陶瓷基体置入磁控溅射炉中并进行预热与抽真空；

依次采用辉光清洗法和第一离子束清洗法对预热后的所述金属陶瓷基体进行清洗；

采用第二离子束清洗法对靶材进行清洗；以及

采用磁控溅射法在所述纹理层背离所述支撑层的一侧沉积多组层叠设置的外观保护部，每组所述外观保护部包括层叠设置的第一子外观保护部与第二子外观保护部，且所述第一子外观保护部相较于所述第二子外观保护部靠近所述纹理层设置。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，“采用磁控溅射法在所述纹理层背离所述支撑层的一侧沉积多组层叠设置的外观保护部”包括：

在所述纹理层背离所述支撑层的一侧沉积第一子外观保护部；

在所述第一子外观保护部背离所述支撑层的一侧沉积第二子外观保护部。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述纹理层包括相对的第一端与第二端，“采用磁控溅射法在所述纹理层背离所述支撑层的一侧沉积多组层叠设置的外观保护部”包括：

从所述第一端到所述第二端的方向沉积所述外观保护部，且在沉积的过程中逐渐增加沉积时间。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，“对所述金属陶瓷基体的表面进行蚀刻”包括：

采用激光雕刻法或湿蚀刻法对所述金属陶瓷基体的表面进行蚀刻。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，当采用激光雕刻法时，“对所述金属陶瓷基体的表面进行蚀刻”包括：

对所述金属陶瓷基体进行预清洗；

对预清洗后的所述金属陶瓷基体进行激光雕刻，在激光雕刻的过程中，激光直径为0.02-0.1mm，激光功率为30-100w，搭接率为60-80%。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在“对预清洗后的所述金属陶瓷基体进行激光雕刻”之后，还包括：

将激光雕刻后的所述金属陶瓷基体进行退火处理，在退火处理的过程中，退火温度为800-1000℃，保温时间为50-70min。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，“提供金属陶瓷基体”包括：

提供原料，所述原料包括金属陶瓷粉末与粘结剂，所述金属陶瓷粉末的质量分数为70-99%，所述粘结剂的质量分数为1-30%；

将所述原料进行排胶处理；

将排胶后的所述原料进行烧结，在烧结的过程中，烧结温度为1200-2000℃，烧结时间为0.5-10h；以及

将烧结后的所述原料进行切割与打磨。