[发明专利]一种介质波导滤波器的电容耦合结构在审
申请号: | 202010036032.2 | 申请日: | 2020-01-14 |
公开(公告)号: | CN111129671A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 罗晓涛 | 申请(专利权)人: | 苏州海瓷达材料科技有限公司 |
主分类号: | H01P1/20 | 分类号: | H01P1/20 |
代理公司: | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人: | 王利斌 |
地址: | 215200 江苏省苏州市吴江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 介质波导 滤波器 电容 耦合 结构 | ||
1.一种介质波导滤波器的电容耦合结构,包括介质本体(100),其特征在于:所述介质本体(100)的两端分别设置有用于调节频率的第一盲孔(102)和第二盲孔(103),介质本体(100)上还开设有第一盲槽(104)、第二盲槽(105)、第三盲槽(106)和第四盲槽(107),第一盲槽(104)和第二盲槽(105)构成第一“T”型槽,第三盲槽(106)和第四盲槽(107)构成第二“T”型槽,第一“T”型槽和第二“T”型槽的开槽深度方向相反,且第一“T”型槽和第二“T”型槽在介质本体(100)上呈上下交错布置。
2.根据权利要求1所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构,其特征在于:所述第一“T”型槽的开槽深度方向从介质本体(100)的正面朝向背面,第一“T”型槽的开槽深度小于介质本体(100)的厚度;所述第二“T”型槽的开槽深度方向从介质本体(100)的背面朝向正面,第二“T”型槽的开槽深度小于介质本体(100)的厚度。
3.根据权利要求2所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构,其特征在于:所述第一盲孔(102)和第二盲孔(103)的中心轴线相互平行,两个中心轴线的所在平面为基准面,所述第一盲槽(104)和第三盲槽(106)的长度方向与基准面垂直,第一盲槽(104)和第三盲槽(106)相互之间具有介质厚度,所述第二盲槽(105)和第四盲槽(107)的长度方向与基准面平行。
4.根据权利要求1所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构,其特征在于:所述介质本体(100)的表面附着有金属化镀层。
5.根据权利要求4所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构,其特征在于:所述金属化镀层采用镀银层。
6.根据权利要求1所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构,其特征在于:所述介质本体(100)采用陶瓷介质。
7.根据权利要求1所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构,其特征在于:所述第一盲孔(102)和第二盲孔(103)分别与其周围填充的介质形成介质波导谐振腔。
8.根据权利要求1所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构,其特征在于:所述第一“T”型槽和第二“T”型槽在介质本体(100)上形成“Z”型截面区(108)。
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