[发明专利]一种介质波导滤波器的电容耦合结构

说明书

本发明公开了一种介质波导滤波器的电容耦合结构，包括介质本体，所述介质本体的两端分别设置有用于调节频率的第一盲孔和第二盲孔，介质本体上还开设有第一盲槽、第二盲槽、第三盲槽和第四盲槽，第一盲槽和第二盲槽构成第一“T”型槽，第三盲槽和第四盲槽构成第二“T”型槽，第一“T”型槽和第二“T”型槽的开槽深度方向相反，且第一“T”型槽和第二“T”型槽在介质本体上呈上下交错布置。本发明提出了一种结构简单、易于加工的电容交叉耦合结构，与普通窗口耦合相比其相位相差180°，可以在通带低端形成一个传输零点，在介质波导滤波器中有广泛应用前景。

技术领域

本发明涉及滤波器技术领域，具体为一种介质波导滤波器的电容耦合结构。

背景技术

随着Massive MIMO技术在5G通信系统中的应用，陶瓷介质波导滤波器以其小尺寸、轻重量、性能优异的特性被广泛的使用。由于通信系统越来越严格的带外抑制要求，传统的切比雪夫滤波器已无法满足应用要求，具有有限传输零点的广义切比雪夫滤波器是改善滤波器性能的关键技术，因而需要在陶瓷介质波导添加交叉耦合结构，形成传输零点，增强滤波器的频率选择性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种介质波导滤波器的电容耦合结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种介质波导滤波器的电容耦合结构，包括介质本体，所述介质本体的两端分别设置有用于调节频率的第一盲孔和第二盲孔，介质本体上还开设有第一盲槽、第二盲槽、第三盲槽和第四盲槽，第一盲槽和第二盲槽构成第一“T”型槽，第三盲槽和第四盲槽构成第二“T”型槽，第一“T”型槽和第二“T”型槽的开槽深度方向相反，且第一“T”型槽和第二“T”型槽在介质本体上呈上下交错布置。

优选的，所述第一“T”型槽的开槽深度方向从介质本体的正面朝向背面，第一“T”型槽的开槽深度小于介质本体的厚度；所述第二“T”型槽的开槽深度方向从介质本体的背面朝向正面，第二“T”型槽的开槽深度小于介质本体的厚度。

优选的，所述第一盲孔和第二盲孔的中心轴线相互平行，两个中心轴线的所在平面为基准面，所述第一盲槽和第三盲槽的长度方向与基准面垂直，第一盲槽和第三盲槽相互之间具有介质厚度，所述第二盲槽和第四盲槽的长度方向与基准面平行。

优选的，所述介质本体的表面附着有金属化镀层。

优选的，所述金属化镀层采用镀银层。

优选的，所述介质本体采用陶瓷介质。

优选的，所述第一盲孔和第二盲孔分别与其周围填充的介质形成介质波导谐振腔。

优选的，所述第一“T”型槽和第二“T”型槽在介质本体上形成“Z”型截面区。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明提出了一种结构简单、易于加工的电容交叉耦合结构，与普通窗口耦合相比其相位相差180°，可以在通带低端形成一个传输零点，或选择合适的拓扑结构形成多种形式的零点分布，在介质波导滤波器中有广泛应用前景。

附图说明

图1为一种介质波导滤波器的电容耦合结构的立体结构示意图；

图2为一种介质波导滤波器的电容耦合结构的俯视结构示意图；

图3为一种介质波导滤波器的电容耦合结构中“Z”型截面区的结构示意图；

图4为耦合强度与第二盲槽和第四盲槽的长度关系图；

图5为耦合强度与“T”型槽深度的关系图；

图6为耦合强度与第一盲槽和第三盲槽的长度关系图；

图7为本实施例的频率响应波形图。