[发明专利]一种晶圆级过渡金属硫属化合物单晶生长的方法

权利要求书

1.一种晶圆级过渡金属硫属化合物单晶生长的方法，所述方法包括以下步骤：

1）将多晶金箔清洗后，高温长时间退火；清洗钨箔，自然晾干；

2）将退火后的金箔放置于清洗晾干后的钨箔上，在惰性气氛中高温加热使金箔熔融；恒温数分钟后自然降温，使液态金固化形成金111单晶；

3）将步骤2重新固化后的金/钨作为基底，放置在过渡金属氧化物粉末的正上方；

4）在相对于基底的气流上游放置硫属单质；

5）通入氩气，待气流稳定后，将硫属单质和基底分别加热至100~200 ℃和720~800 ℃，恒温的时间为3~8分钟，恒温后在基底上生长得到厘米级单层过渡金属硫属化合物单晶。

2.根据权利要求1所述的晶圆级过渡金属硫属化合物单晶生长的方法，其特征在于，所述多晶金箔按照如下方式清洗：将多晶金箔依次置于稀盐酸和丙酮中进行超声清洗，随后用氮气吹干，完成金箔的清洗。

3.根据权利要求1所述的晶圆级过渡金属硫属化合物单晶生长的方法，其特征在于，所述多晶金箔按照如下方式高温长时间退火：将清洗后的多晶金箔置于管式炉中，在大气氛围下加热至900-980 ℃，恒温5-8小时，自然降温。

4.根据权利要求1所述的晶圆级过渡金属硫属化合物单晶生长的方法，其特征在于，所述钨箔按照如下方式清洗：将商用钨箔依次置于过氧化氢溶液中，加热至60-80℃，恒温30-40 min，随后用氮气吹干，完成钨箔的清洗。

5.根据权利要求1所述的晶圆级过渡金属硫属化合物单晶生长的方法，其特征在于，金/钨基底与过渡金属氧化物粉末的高度差为10~30 mm。

6.根据权利要求1所述的晶圆级过渡金属硫属化合物单晶生长的方法，其特征在于，所述过渡金属氧化物粉末的质量为1~3 mg。

7.根据权利要求1所述的晶圆级过渡金属硫属化合物单晶生长的方法，其特征在于，所述硫属单质的质量为3~5 mg，所述硫属单质包括硫和/或硒。

8.根据权利要求1所述的晶圆级过渡金属硫属化合物单晶生长的方法，其特征在于，所述氩气的流量为5~10 sccm。

9.根据权利要求1所述的晶圆级过渡金属硫属化合物单晶生长的方法，其特征在于，所述过渡金属氧化物为氧化钼和/或氧化钨。