[发明专利]用于光学通信的方法和系统

权利要求书

1.一种用于光学通信的方法，所述方法包括：

在具有光电探测器的半导体晶片中，所述光电探测器包括n-型硅层、锗层、p-型硅层、以及在所述n-型硅层和所述p-型硅层的每个层上的金属接触，其中，所述锗层的顶部表面位于所述n-型硅层和所述p-型硅层两者的顶部表面之上，且所述锗层的底部表面位于所述n-型硅层和所述p-型硅层两者的顶部表面之下，并且其中，与所述光电探测器的接触在所述锗层的相对的侧面上，在所述锗层的顶部表面上没有接触：

接收光信号；

在所述锗层中吸收光信号；以及

从吸收的光信号生成电信号。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光电探测器包括水平结双异质结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，本征掺杂的硅层位于所述n-型硅层和所述p-型硅层之间的所述锗层下方。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述锗层的最接近所述p-掺杂硅层的部分被p掺杂。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光电探测器包括垂直结双异质结构，其中，所述锗层在低掺杂的n-型硅层的上方。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述n-型硅层和所述p-型硅层在所述锗层下方的所述低掺杂的硅层的相对侧面上，其中，所述p-型硅层和所述低掺杂的n-型硅层与所述锗层接触而所述n-型硅层没有。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述锗层的顶部部分被掺杂为p-型。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光电探测器包括表面照明的双异质结构光电探测器。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述表面照明的双异质结构光电探测器中的所述n-型硅层和所述p-型硅层包括相互交叉的手指。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述表面照明的双异质结构光电探测器中的所述n-型硅层和所述p-型硅层包括在所述表面照明的双异质结构光电探测器的外边缘的环形结构。

11.一种用于通信的系统，所述系统包括：

具有光电探测器的半导体晶片，所述光电探测器包括n-型硅层、锗层、p-型硅层、以及在所述n-型硅层和所述p-型硅层的每个层上的金属接触，其中，所述锗层的顶部表面位于所述n-型硅层和所述p-型硅层两者的顶部表面之上，且所述锗层的底部表面位于所述n-型硅层和所述p-型硅层两者的顶部表面之下，并且其中，与所述光电探测器的接触在所述锗层的相对的侧面上，在所述锗层的顶部表面上没有接触，所述光电探测器可操作为：

接收光信号；

在所述锗层中吸收光信号；以及

从吸收的光信号生成电信号。

12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述光电探测器包括水平结双异质结构。

13.根据权利要求11所述的系统，其中，本征掺杂的硅层位于所述n-型硅层和所述p-型硅层之间的所述锗层下方。

14.根据权利要求11所述的系统，其中，所述锗层的最接近所述p-掺杂硅层的部分被p掺杂。

15.根据权利要求11所述的系统，其中，其中，所述光电探测器包括垂直结双异质结构，其中，所述锗层在低掺杂的n-型硅层的上方。

16.根据权利要求15所述的系统，其中，所述n-型硅层和所述p-型硅层在所述锗层下方的所述低掺杂的硅层的相对侧面上，其中，所述p-型硅层和所述低掺杂的n-型硅层与所述锗层接触而所述n-型硅层没有。