[发明专利]用于光学通信的方法和系统

说明书

本公开涉及用于光学通信的方法和系统。一种用于光学通信的方法，包括：在具有光电探测器的半导体晶片中，光电探测器包括n‑型硅层、锗层、p型硅层、以及在n型硅层和所述p型硅层的每个层上的金属接触，其中，‑锗层的顶部表面位于‑n‑型硅层和‑p‑型硅层两者的顶部表面之上，且‑锗层的底部表面位于‑n‑型硅层和‑p‑型硅层两者的顶部表面之下，并且其中，与‑光电探测器的接触在‑锗层的相对的侧面上，在‑锗层的顶部表面上没有接触：接收光信号；在‑锗层中吸收光信号；以及从吸收的光信号生成电信号。

本申请是申请日为2015年12月1日、申请号为201510864620.4、发明名称为“用于没有锗层接触的硅上锗光电探测器的方法和系统”申请的分案申请，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本公开的某些实施方式涉及半导体光子学。更具体而言，本公开的某些实施方式涉及用于没有锗层接触(contact)的硅上锗光电探测器(germanium-on-siliconphotodetector)的方法和系统。

背景技术

随着数据网络逐步增长以满足不断增长的带宽要求，铜数据通道的缺点变得明显。由辐射电磁能量造成的信号衰减和串扰是这种系统的设计师遇到的主要障碍。通过均衡、编码以及屏蔽，这些障碍可以在某种程度上缓解，但是这些技术需要相当大的功率、复杂度以及电缆大体积问题(cable bulk penalties)，同时仅仅提供够能够获得的较小改进以及非常有限的可扩展性。由于没有这种通道限制，所以光学通信被视为铜链路的继承者。

通过比较该系统和参照附图在本申请的剩余部分中阐述的本公开，对于本领域的技术人员而言，常见的以及传统的方法的其他限制和缺点是显而易见的。

发明内容

本发明的实施方式涉及一种用于光学通信的方法，所述方法包括：在具有光电探测器的半导体晶片中，所述光电探测器包括n型硅层、锗层、p型硅层、以及在所述n型硅层和所述p型硅层的每个层上的金属接触：接收光信号；在所述锗层中吸收光信号；从吸收的光信号生成电信号；以及经由所述n型硅层和所述p型硅层将所述电信号传送出所述光电探测器。

本发明的实施方式还涉及一种用于通信的系统，所述系统包括：具有光电探测器的半导体晶片，所述光电探测器包括n型硅层、锗层、p型硅层、以及在所述n型硅层和所述p型硅层的每个层上的金属接触，所述光电探测器可操作为：接收光信号；在所述锗层中吸收光信号；从吸收的光信号生成电信号；以及经由所述n型硅层和所述p型硅层将所述电信号传送出所述光电探测器。

本发明的实施方式还涉及一种用于光学通信的方法，所述方法包括：在具有光电探测器的半导体晶片中，所述光电探测器包括n-型硅层、锗层、p-型硅层、以及在所述n-型硅层和所述p-型硅层的每个层上的金属接触，其中，所述锗层的顶部表面位于所述n-型硅层和所述p-型硅层两者的顶部表面之上，且所述锗层的底部表面位于所述n-型硅层和所述p-型硅层两者的顶部表面之下，并且其中，与所述光电探测器的接触在所述锗层的相对的侧面上，在所述锗层的顶部表面上没有接触：接收光信号；在所述锗层中吸收光信号；以及从吸收的光信号生成电信号。

本发明的实施方式还涉及一种用于通信的系统，所述系统包括：具有光电探测器的半导体晶片，所述光电探测器包括n-型硅层、锗层、p-型硅层、以及在所述n-型硅层和所述p-型硅层的每个层上的金属接触，其中，所述锗层的顶部表面位于所述n-型硅层和所述p-型硅层两者的顶部表面之上，且所述锗层的底部表面位于所述n-型硅层和所述p-型硅层两者的顶部表面之下，并且其中，与所述光电探测器的接触在所述锗层的相对的侧面上，在所述锗层的顶部表面上没有接触，所述光电探测器可操作为：接收光信号；在所述锗层中吸收光信号；以及从吸收的光信号生成电信号。