[发明专利]一种宽光谱探测器以及制备方法

权利要求书

1.一种宽光谱探测器，其特征在于，包括：衬底，以及至少一个探测单元；其中，

所述至少一个探测单元设置在所述衬底上；

所述至少一个探测单元，包括：两个金属电极以及钙钛矿材料层；

所述钙钛矿材料层与所述两个金属电极欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的宽光谱探测器，其特征在于，所述至少一个探测单元包括一个探测单元；

所述探测单元包括：

在所述衬底上设置有第一金属电极；

所述钙钛矿材料层设置在所述第一金属电极上；

第二金属电极设置在所述钙钛矿材料层上。

3.根据权利要求2所述的宽光谱探测器，其特征在于，所述衬底具有导电性，作为第一金属电极；

所述钙钛矿材料层设置在所述衬底上；

所述第二金属电极设置在所述钙钛矿材料层上；

所述两个金属电极包括所述衬底以及所述第二金属电极。

4.根据权利要求3中任一所述的宽光谱探测器，其特征在于，所述第一金属电极的尺寸小于所述衬底的尺寸；所述钙钛矿材料层的尺寸小于等于所述第一金属电极的尺寸；所述第二金属电极的尺寸小于所述钙钛矿材料层的尺寸。

5.根据权利要求1-4中任一所述的宽光谱探测器，其特征在于，所述第一金属电极与所述第二金属电极是异种金属电极，或同种金属电极。

6.根据权利要求1所述的宽光谱探测器，其特征在于，所述至少一个探测单元包括一个探测单元；

所述探测单元包括：

在所述衬底上旋涂钙钛矿材料层；

在所述钙钛矿材料层上设置有两个金属电极，所述两个金属电极之间的间距在预设范围之内，以使所述两个金属电极之间形成沟道。

7.根据权利要求6所述的宽光谱探测器，其特征在于，所述钙钛矿材料层的尺寸小于等于所述衬底的尺寸，所述两个金属电极的尺寸之和小于所述钙钛矿材料层。

8.根据权利要求1中任一所述的宽光谱探测器，其特征在于，所述钙钛矿材料层的厚度在100nm-1μm之间。

9.根据权利要求1所述的宽光谱探测器，其特征在于，所述至少一个探测单元包括至少两个探测单元，所述至少两个探测单元呈面排列，或线排列。

10.一种宽光谱探测器的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上制备第一金属电极；

在所述第一金属电极上制备钙钛矿材料层；

在所述钙钛矿材料上背离所述第一金属电极的一侧制备第二金属电极。

11.根据权利要求10所述的宽光谱探测器的制备方法，其特征在于，在所述钙钛矿材料上背离所述第一金属电极的一侧制备第二金属电极之前，还包括：

将制备在所述衬底上的第一金属电极进行紫外臭氧处理，以使所述钙钛矿材料层制备在所述第一金属电极上。

12.根据权利要求10所述的宽光谱探测器的制备方法，其特征在于，将所述钙钛矿材料制备在所述第一金属电极上，包括：

采用旋涂或蒸镀的方法，将所述钙钛矿材料制备在所述第一金属电极上。

13.一种宽光谱探测器的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上制备钙钛矿材料层；

在所述钙钛矿材料层上制备两个金属电极；其中，两个金属电极在水平方向之间的间隔在预设范围之内。