[发明专利]一种宽光谱探测器以及制备方法

说明书

本发明实施例公开了一种宽光谱探测器以及制备方法，该探测器包括：衬底，以及至少一个探测单元；其中，至少一个探测单元设置在衬底上；至少一个探测单元，包括：两个金属电极以及钙钛矿材料层；钙钛矿材料层与两个金属电极欧姆接触。本发明实施例的技术方案，解决了现有技术中采用硅、铟镓砷，或锗探测器时，探测器的覆盖范围小，响应度低，难以满足各方面需求的技术问题，实现了提高探测器的覆盖范围，使探测器可以从紫外覆盖到太赫兹波段，并且响应度较高，从而可以提高应用范围的技术效果。

技术领域

本发明实施例涉及太赫兹探测技术领域，尤其涉及一种宽光谱探测器以及制备方法。

背景技术

目前，商业上已经存在比较成熟的探测器技术，如硅(Si)，铟镓砷(InGaAs),锗(Ge)等探测器。其中，上述列举的探测器的响应波段以及响应度，可参见表1。

表1

类型	响应波段(nm)	响应度(A/W)
D Si 200	200-1100	0.52
D InGaAs 1650	800-1700	0.85
Ge	400-2000	0.85

但是，上述探测器的覆盖波段难以覆盖到紫外到太赫兹波段，并且响应度在1A/W，同时上述探测器难以做成柔性可穿戴的，因此难以满足实际应用中各个方面的需求。

发明内容

本发明提供一种宽光谱探测器以及制备方法，以实现宽光谱探测，以及提高响应度的技术效果。

第一方面，本发明实施例提供了一种宽光谱探测器，该宽光谱探测器包括：衬底，以及至少一个探测单元；其中，

所述至少一个探测单元设置在所述衬底上；

所述至少一个探测单元，包括：两个金属电极以及钙钛矿材料层；

所述钙钛矿材料层与所述两个金属电极欧姆接触。

进一步的，所述至少一个探测单元包括一个探测单元；

所述探测单元包括：

在所述衬底上设置有第一金属电极；

所述钙钛矿材料层设置在所述第一金属电极上；

第二金属电极设置在所述钙钛矿材料层上。

进一步的，所述衬底具有导电性，作为第一金属电极；