[发明专利]一种存储器件的制备方法以及存储器件

权利要求书

1.一种存储器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一晶圆，所述第一晶圆包括用于形成存储单元的正面以及与所述正面相对的背面；

刻蚀所述第一晶圆，形成从所述正面延伸至所述第一晶圆内部的第一开孔；

在所述正面上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层填充所述第一开孔；

刻蚀所述第一绝缘层，形成贯穿所述第一绝缘层的第二开孔，所述第二开孔在所述第一晶圆上的正投影位于所述第一开孔内，所述第二开孔的侧壁通过所述第一绝缘层与所述第一晶圆隔离；

在所述第二开孔内形成第一导电层；

提供第二晶圆，所述第二晶圆上形成有外围电路；

所述第一晶圆以正面与所述第二晶圆键合；

在第一晶圆与第二晶圆键合之后，由所述第一晶圆的背面减薄所述第一晶圆，暴露所述第一导电层以形成贯穿所述第一晶圆的导电通孔。

2.根据权利要求1所述的存储器件的制备方法，其特征在于，所述存储器件包括位于存储单元之间的隔离沟槽；

在形成所述第一绝缘层时，所述第一绝缘层填充所述第一开孔和所述隔离沟槽。

3.根据权利要求1所述的存储器件的制备方法，其特征在于，所述第一开孔的深度大于或等于减薄后的第一晶圆的厚度。

4.根据权利要求1所述的存储器件的制备方法，其特征在于，采用以下刻蚀剂执行刻蚀所述第一绝缘层，形成所述第二开孔：所述刻蚀剂以所述第一晶圆为刻蚀停止层，去除位于所述第二开孔预设形成位置内的所述第一绝缘层。

5.根据权利要求1所述的存储器件的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层包括位于所述第一晶圆的正面上第一部分以及填充在所述第一开孔内部的第二部分；

所述第一导电层包括形成在所述第一部分内的部分以及形成在所述第二部分内的部分。

6.根据权利要求1所述的存储器件的制备方法，其特征在于，所述第一开孔的开口尺寸和所述第二开孔的开口尺寸沿所述第一晶圆的正面到背面的方向减小。

7.根据权利要求1所述的存储器件的制备方法，其特征在于，减薄所述第一晶圆后，所述方法还包括：

在所述第一晶圆的背面形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层内形成与所述第一导电层导电连接的第二导电层；在所述第二导电层上形成焊盘。