[发明专利]一种存储器件的制备方法以及存储器件

说明书

本申请实施例公开了一种存储器件的制备方法以及存储器件，其中，所述方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括用于形成存储单元的正面以及与所述正面相对的背面；刻蚀所述第一晶圆，形成从所述正面延伸至所述第一晶圆内部的第一开孔；在所述正面上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层填充所述第一开孔；刻蚀所述第一绝缘层，形成贯穿所述第一绝缘层的第二开孔，所述第二开孔在所述第一晶圆上的正投影位于所述第一开孔内，所述第二开孔的侧壁通过所述第一绝缘层与所述第一晶圆隔离；在所述第二开孔内形成第一导电层；由所述第一晶圆的背面减薄所述第一晶圆，暴露所述第一导电层以形成贯穿所述第一晶圆的导电通孔。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种存储器件的制备方法以及存储器件。

背景技术

在新型3D NAND(三维与非型)存储器产品构架中，存储单元区(Cell area) 和外围电路区(如CMOS)制作在不同晶圆上，通过三维特种工艺的将电路连接在一起。在完成存储单元的制备后，从背面打薄存储单元区所在的晶圆，并从晶圆的背面上开孔，通过孔连接存储单元与背面金属引线，从而将存储单元的电极导电引出。

然而，在从晶圆的背面上开孔的过程中，极易损伤到晶圆正面的结构，往往需要严格控制刻蚀工艺的进行，对刻蚀工艺提出极高要求。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例为解决背景技术中存在的至少一个问题而提供一种存储器件的制备方法以及存储器件。

为达到上述目的，本申请的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供了一种存储器件的制备方法，所述方法包括：

提供第一晶圆，所述第一晶圆包括用于形成存储单元的正面以及与所述正面相对的背面；

刻蚀所述第一晶圆，形成从所述正面延伸至所述第一晶圆内部的第一开孔；

在所述正面上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层填充所述第一开孔；

刻蚀所述第一绝缘层，形成贯穿所述第一绝缘层的第二开孔，所述第二开孔在所述第一晶圆上的正投影位于所述第一开孔内，所述第二开孔的侧壁通过所述第一绝缘层与所述第一晶圆隔离；

在所述第二开孔内形成第一导电层；

由所述第一晶圆的背面减薄所述第一晶圆，暴露所述第一导电层以形成贯穿所述第一晶圆的导电通孔。

上述方案中，所述存储器件包括位于存储单元之间的隔离沟槽；

在形成所述第一绝缘层时，所述第一绝缘层填充所述第一开孔和所述隔离沟槽。

上述方案中，所述第一开孔的深度大于或等于减薄后的第一晶圆的厚度。

上述方案中，采用以下刻蚀剂执行刻蚀所述第一绝缘层，形成所述第二开孔：所述刻蚀剂以所述第一晶圆为刻蚀停止层，去除位于所述第二开孔预设形成位置内的所述第一绝缘层。

上述方案中，所述第一绝缘层包括位于所述第一晶圆的正面上第一部分以及填充在所述第一开孔内部的第二部分；

所述第一导电层包括形成在所述第一部分内的部分以及形成在所述第二部分内的部分。

上述方案中，所述第一开孔的开口尺寸和所述第二开孔的开口尺寸沿所述第一晶圆的正面到背面的方向减小。

上述方案中，减薄所述第一晶圆后，所述方法还包括：

在所述第一晶圆的背面形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层内形成与所述第一导电层导电连接的第二导电层；

在所述第二导电层上形成焊盘。

本申请实施例还提供了一种存储器件，包括：