[发明专利]阈值参数的读取方法和装置有效
申请号: | 202010039325.6 | 申请日: | 2020-01-14 |
公开(公告)号: | CN111258922B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 赵子成;龚堤;邵磊;林挺宇;胡龙文 | 申请(专利权)人: | 深圳天邦达科技有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 | 代理人: | 张萌 |
地址: | 518000 广东省深圳市光明新区公明办事*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阈值 参数 读取 方法 装置 | ||
1.一种阈值参数的读取方法,其特征在于,包括:
从快速读写存储器中读取存储标志;
若读取成功,判断所述存储标志是否为已完成;
若是已完成,则将非易失性存储器FLASH的第一扇区中本次存储的阈值参数读取到随机存取存储器RAM中。
2.根据权利要求1所述的阈值参数的读取方法,其特征在于,所述方法还包括:
若非已完成,则判断所述存储标志是否为第一写入标志;
若所述存储标志为第一写入标志,则将所述非易失性存储器FLASH的备份扇区中本次存储的阈值参数读取到所述随机存取存储器RAM中,并将所述本次存储的阈值参数写入所述非易失性存储器FLASH的第一扇区;
若所述存储标志非第一写入标志,则读取所述随机存取存储器RAM中存储的默认阈值参数,并将所述默认阈值参数写入所述非易失性存储器FLASH的第一扇区中。
3.根据权利要求1所述的阈值参数的读取方法,其特征在于,所述方法还包括:
若从快速读写存储器中读取存储标志失败,则读取所述随机存取存储器RAM中存储的默认阈值参数。
4.根据权利要求1所述的阈值参数的读取方法,其特征在于,所述方法还包括:
对所述非易失性存储器FLASH中备份扇区存储的阈值参数进行擦除;
通过所述随机存取存储器RAM将所述本次存储的阈值参数写入所述非易失性存储器FLASH的备份扇区中。
5.根据权利要求4所述的阈值参数的读取方法,其特征在于,通过所述随机存取存储器RAM将所述本次存储的阈值参数写入所述非易失性存储器FLASH的备份扇区中的步骤,之后,还包括:
通过所述随机存取存储器RAM在所述快速读写存储器中写入第一写入标志;
擦除所述非易失性存储器FLASH的第一扇区中存储的阈值参数;
把所述备份扇区中本次存储的阈值参数写入所述第一扇区。
6.根据权利要求5所述的阈值参数的读取方法,其特征在于,把所述备份扇区中本次存储的阈值参数写入所述第一扇区的步骤之后,还包括:
通过所述随机存取存储器RAM在所述快速读写存储器中写入已完成存储标志;
对所述非易失性存储器FLASH的备份扇区中本次存储的阈值参数进行擦除。
7.根据权利要求6所述的阈值参数的读取方法,其特征在于,所述阈值参数为用于电池管理系统对电池故障情况进行判别的预设阈值参数。
8.一种阈值参数的读取装置,其特征在于,包括:
第一读取模块,用于从快速读写存储器中读取存储标志;
若读取成功,判断模块,用于判断所述存储标志是否为已完成;
若是已完成,第二读取模块,用于则将非易失性存储器FLASH的第一扇区中本次存储的阈值参数读取到随机存取存储器RAM中。
9.一种电子设备,其特征在于,包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并且能够在所述处理器上运行的程序,所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1至7中任一项所述的阈值参数的读取方法。
10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述可读存储介质中存储有计算机程序,所述计算机程序被执行时实现权利要求1-7中任意一项所述的阈值参数的读取方法。
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