[发明专利]阈值参数的读取方法和装置有效

专利信息
申请号: 202010039325.6 申请日: 2020-01-14
公开(公告)号: CN111258922B 公开(公告)日: 2023-10-27
发明(设计)人: 赵子成;龚堤;邵磊;林挺宇;胡龙文 申请(专利权)人: 深圳天邦达科技有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 代理人: 张萌
地址: 518000 广东省深圳市光明新区公明办事*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阈值 参数 读取 方法 装置
【说明书】:

发明提供了一种阈值参数的读取方法和装置,涉及动力电池技术领域,包括从快速读写存储器中读取存储标志;若读取成功,判断存储标志是否为已完成;若是已完成,则将非易失性存储器FLASH的第一扇区中本次存储的阈值参数读取到随机存取存储器RAM中,通过将阈值参数从非易失性存储器FLASH中读取到控制芯片的随机存取存储器中,加快读取速度,节约成本的同时,解决读取延时问题。

技术领域

本发明涉及动力电池技术领域,尤其是涉及一种阈值参数的读取方法和装置。

背景技术

当前,电动汽车的动力电池管理系统以及燃油汽车的自动启停系统的电池管理系统,在读取故障阈值参数时,直接从非易失性存储器FLASH读取,有一定延时。为解决上述延时问题,一般采用读写速度较为迅速的存储器来读取参数,但此类存储器的价格较为昂贵,不利于广泛应用。

发明内容

本发明的目的在于提供阈值参数的读取方法和装置,通过将阈值参数从非易失性存储器FLASH中读取到控制芯片的随机存取存储器中,加快读取速度,节约成本的同时,解决读取延时问题。

第一方面,实施例提供一种阈值参数的读取方法,包括:

从快速读写存储器中读取存储标志;

若读取成功,判断所述存储标志是否为已完成;

若是已完成,则将非易失性存储器FLASH的第一扇区中本次存储的阈值参数读取到随机存取存储器RAM中。

在可选的实施方式中,所述方法还包括:

若非已完成,则判断所述存储标志是否为第一写入标志;

若所述存储标志为第一写入标志,则将所述非易失性存储器FLASH的备份扇区中本次存储的阈值参数读取到所述随机存取存储器RAM中,并将所述本次存储的阈值参数写入所述非易失性存储器FLASH的第一扇区;

若所述存储标志非第一写入标志,则读取所述随机存取存储器RAM中存储的默认阈值参数,并将所述默认阈值参数写入所述非易失性存储器FLASH的第一扇区中。

在可选的实施方式中,所述方法还包括:

若从快速读写存储器中读取存储标志失败,则读取所述随机存取存储器RAM中存储的默认阈值参数。

在可选的实施方式中,所述方法还包括:

对所述非易失性存储器FLASH中备份扇区存储的阈值参数进行擦除;

通过所述随机存取存储器RAM将所述本次存储的阈值参数写入所述非易失性存储器FLASH的备份扇区中。

在可选的实施方式中,通过所述随机存取存储器RAM将所述本次存储的阈值参数写入所述非易失性存储器FLASH的备份扇区中的步骤,之后,还包括:

通过所述随机存取存储器RAM在所述快速读写存储器中写入第一写入标志;

擦除所述非易失性存储器FLASH的第一扇区中存储的阈值参数;

把所述备份扇区中本次存储的阈值参数写入所述第一扇区。

在可选的实施方式中,把所述备份扇区中本次存储的阈值参数写入所述第一扇区的步骤之后,还包括:

通过所述随机存取存储器RAM在所述快速读写存储器中写入已完成存储标志;

对所述非易失性存储器FLASH的备份扇区中本次存储的阈值参数进行擦除。

在可选的实施方式中,所述阈值参数为用于电池管理系统对电池故障情况进行判别的预设阈值参数。

第二方面,实施例提供一种阈值参数的读取装置,包括:

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