[发明专利]一种高质量多晶金刚石膜制备方法

权利要求书

1.一种高质量多晶金刚石膜制备方法，有以下步骤：

1)以单晶硅片或钼片为衬底，利用金刚石粉研磨处理后，使用微波等离子体CVD装置，进行薄膜沉积，设置生长参数如下：功率2000～2500W，压强10～15Kpa，衬底温度800～1000℃，气氛H₂:CH₄:N₂＝200～500:5～10:0.5～2，气体流量单位为sccm，生长时间10h，得到自支撑化学气相沉积金刚石膜；

2)将得到的自支撑化学气相沉积金刚石膜放置在高温退火炉中，高温处理15min；

3)将步骤2)处理后的样品，用酒精超声清洗2～3遍，将(100)面柱状金刚石间的残渣清除掉；

4)将处理后的自支撑多晶金刚石放入MPCVD设备腔体内，设置生长参数如下：功率2000～2500W，压强10～15kPa，温度800～900℃，气氛H₂:CH₄＝500:5～10，气体流量单位sccm，生长时间5h，得到高质量多晶金刚石膜。

2.根据权利要求1所述的一种高质量多晶金刚石膜制备方法，其特征在于，在步骤1)中，所述的利用金刚石粉研磨处理，是指使用平均粒度小于1微米的金刚石粉研磨10分钟，在衬底表面磨出均匀的划痕。

3.根据权利要求1所述的一种高质量多晶金刚石膜制备方法，其特征在于，在步骤2)中，处理温度是800℃，处理气氛为空气。