[发明专利]半导体基底减薄方法

权利要求书

1.一种半导体基底减薄方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一半导体基底；

对所述半导体基底内部的一区域进行改性处理，形成夹设于所述半导体基底内部的改性层；

以所述改性层为截止层刻蚀掉部分所述半导体基底，实现所述半导体基底的减薄。

2.根据权利要求1所述的半导体基底减薄方法，其特征在于，所述半导体基底包括具有半导体结构的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述第二表面无半导体结构；对所述半导体基底内部的一区域进行改性处理之前，还包括如下步骤：

平坦化所述半导体基底的第二表面。

3.根据权利要求2所述的半导体基底减薄方法，其特征在于，对所述半导体基底内部的一区域进行改性处理的具体步骤包括：

自所述第二表面注入离子至所述半导体基底内的预设深度处，形成夹设于所述半导体基底内部的改性层。

4.根据权利要求3所述的半导体基底减薄方法，其特征在于，形成夹设于所述半导体基底内部的改性层的具体步骤包括：

自整个所述第二表面注入离子至所述半导体基底内的预设深度处，形成夹设于所述半导体基底内部的改性层，所述改性层将所述半导体基底分隔为相互独立的第一部分和第二部分，所述第一部分包括所述第一表面，所述第二部分包括所述第二表面。

5.根据权利要求4所述的半导体基底减薄方法，其特征在于，以所述改性层为截止层刻蚀掉部分所述半导体基底的具体步骤包括：

采用湿法刻蚀工艺以所述改性层为截止层刻蚀掉所述第二部分。

6.根据权利要求5所述的半导体基底减薄方法，其特征在于，所述半导体基底预减薄至预设厚度；

所述第一部分与所述改性层的厚度之和等于所述预设厚度。

7.根据权利要求5所述的半导体基底减薄方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺以所述改性层为截止层刻蚀掉所述第二部分之后，还包括如下步骤：

去除所述改性层。

8.根据权利要求5所述的半导体基底减薄方法，其特征在于，所述半导体基底与所述改性层之间的刻蚀选择比大于或等于3。

9.根据权利要求8所述的半导体基底减薄方法，其特征在于，所述半导体基底的材料为硅，所述离子为碳离子，刻蚀掉所述第二部分所采用的刻蚀剂为四甲基氢氧化铵。

10.根据权利要求1所述的半导体基底减薄方法，其特征在于，所述改性层的厚度为1nm～10nm。