[发明专利]集成电路器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010041094.2 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112103183A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 程仲良;张毅敏;张翔笔;吕育玮;方子韦;赵皇麟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种形成集成电路器件的方法，包括：
提供具有沟道区域的衬底；
在所述沟道区域上生长氧化物层，其中，生长所述氧化物层包括：
引入提供氧的第一源气体；
引入提供氢的第二源气体，所述第二源气体与所述第一源气体不同；
将所述氧结合至所述沟道区域的半导体元素以形成所述氧化物层；以及
将所述氢结合至所述沟道区域的所述半导体元素以形成半导体氢化物副产物；
在所述氧化物层上方形成栅极介电层；以及
在所述栅极介电层上方形成栅电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，生长所述氧化物层形成氧化硅锗层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，提供具有所述沟道区域的所述衬底包括在从所述衬底延伸的鳍元件上形成所述沟道区域。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，通过在硅衬底上方外延生长硅锗区域来形成所述鳍元件，并且其中，所述半导体元素是锗。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二源气体是HCl。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，生长所述氧化物层还包括引入第三气体氮。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化物层是氧化硅锗，并且所述半导体氢化物副产物包括氢和锗。
8.一种形成集成电路器件的方法，包括：
提供衬底，所述衬底具有在所述衬底上方延伸的第一鳍和第二鳍，其中，所述第一鳍与所述第二鳍的组分不同；
在所述第一鳍和所述第二鳍上方生长氧化物层，其中，位于所述第一鳍上方的所述氧化物层包括第一氧化物组分，并且位于所述第二鳍上方的所述氧化物层包括第二氧化物组分，生长所述氧化物层包括：
以第一流速将含氧气体引入至所述衬底；以及
以与所述第一流速不同的第二流速将含氢气体引入至所述衬底。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一流速小于所述第二流速。
10.一种集成电路器件，包括：
第一鳍结构，从衬底延伸，其中，所述第一鳍结构是第一组分，其中，所述第一鳍结构包括圆角；
第二鳍结构，从所述衬底延伸，其中，所述第二鳍结构是与所述第一组分不同的第二组分；
第一界面层，直接位于包括所述圆角的所述第一鳍结构上，其中，所述第一界面层是所述第一组分的氧化物；
第二界面层，直接位于所述第二鳍结构上，其中，所述第二界面层是所述第二组分的氧化物；以及
栅极介电层，形成在所述第一界面层和所述第二界面层上方。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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