[发明专利]集成电路器件及其形成方法

说明书

形成集成电路器件的方法包括提供沟道区域并且在沟道区域上生长氧化物层。生长氧化物层包括引入提供氧的第一源气体和引入提供氢的第二源气体。第二源气体与第一源气体不同。生长氧化物层通过将氧结合至沟道区域的半导体元素以形成氧化物层并且将氢结合至沟道区域的半导体元素以形成半导体氢化物副产物来生长。可以在氧化物层上方形成栅极介电层和栅电极。本发明的实施例还涉及集成电路器件。

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路器件及其形成方法。

背景技术

集成电路(IC)工业已经经历了指数型增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC，其中，每一代都比上一代具有更小且更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)已经普遍增加，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

这种按比例缩小还增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。例如，随着鳍式场效应晶体管(FinFET)技术朝着更小的部件尺寸发展，不同类型的FinFET用不同的鳍材料配置以进一步提高性能。基于期望的器件性能，可以使用不同的材料在FinFET的鳍中提供合适的沟道区域。当在鳍的该沟道区域上方形成栅极时，已经观察到可以使用形成在鳍元件和上面的层上方的界面层。提供适合于不同配置的鳍的该界面层可能带来挑战。具体地，随着部件尺寸的缩小，制造具有适当厚度的高质量层的栅极堆叠件可能带来挑战。

发明内容

本发明的实施例提供了一种形成集成电路器件的方法，包括：提供具有沟道区域的衬底；在所述沟道区域上生长氧化物层，其中，生长所述氧化物层包括：引入提供氧的第一源气体；引入提供氢的第二源气体，所述第二源气体与所述第一源气体不同；将所述氧结合至所述沟道区域的半导体元素以形成所述氧化物层；以及将所述氢结合至所述沟道区域的所述半导体元素以形成半导体氢化物副产物；在所述氧化物层上方形成栅极介电层；以及在所述栅极介电层上方形成栅电极。

本发明的另一实施例提供了一种形成集成电路器件的方法，包括：提供衬底，所述衬底具有在所述衬底上方延伸的第一鳍和第二鳍，其中，所述第一鳍与所述第二鳍的组分不同；在所述第一鳍和所述第二鳍上方生长氧化物层，其中，位于所述第一鳍上方的所述氧化物层包括第一氧化物组分，并且位于所述第二鳍上方的所述氧化物层包括第二氧化物组分，生长所述氧化物层包括：以第一流速将含氧气体引入至所述衬底；以及以与所述第一流速不同的第二流速将含氢气体引入至所述衬底。

本发明的又一实施例提供了一种集成电路器件，包括：第一鳍结构，从衬底延伸，其中，所述第一鳍结构是第一组分，其中，所述第一鳍结构包括圆角；第二鳍结构，从所述衬底延伸，其中，所述第二鳍结构是与所述第一组分不同的第二组分；第一界面层，直接位于包括所述圆角的所述第一鳍结构上，其中，所述第一界面层是所述第一组分的氧化物；第二界面层，直接位于所述第二鳍结构上，其中，所述第二界面层是所述第二组分的氧化物；以及栅极介电层，形成在所述第一界面层和所述第二界面层上方。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制，并且仅用于说明目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是示出根据本发明的各个方面的制造半导体器件的方法的实施例的流程图；

图2至图8是根据本发明的各个方面和图1的方法的示例性步骤的处于各个制造阶段的部分或全部FinFET器件的的局部截面图；

图9是根据本发明的各个方面的部分或全部FinFET器件的局部立体图。

图10是根据本发明的各个方面的部分FinFET器件的局部截面图。

具体实施方式