[发明专利]半导体封装结构及电子装置在审
申请号: | 202010041530.6 | 申请日: | 2020-01-15 |
公开(公告)号: | CN111584447A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 陈馨恩;胡逸群;蔡荣哲 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/473 | 分类号: | H01L23/473;H01L23/427;H01L23/367 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 电子 装置 | ||
半导体封装结构包含封装衬底及半导体裸片。所述封装衬底包含延伸穿过所述封装衬底的多个中空通孔。所述半导体裸片电连接到所述封装衬底。所述中空通孔安置于所述半导体裸片下方。
本申请要求2019年2月15日递交的第62/806,563号美国临时申请及2019年12月17日递交的第16/717,929号美国非临时申请的的权益及优先权,所述申请的内容以引用的方式全文并入本文中。
技术领域
本公开涉及一种半导体封装结构及一种包含所述半导体封装结构的电子装置,并且涉及一种包含具有多个中空通孔的封装衬底的半导体封装结构及一种包含所述半导体封装结构的电子装置。
背景技术
半导体封装结构的规范可包含高速数据传输容量、高数据容量及较小占用面积。散热也是此类半导体封装结构的一个问题。在操作期间,高速数据传输可导致产生大量热量并且可使半导体封装结构的温度升高。归因于半导体封装结构的小尺寸,可能难以耗散所述热量。如果热量无法有效地耗散,则半导体封装结构的性能可降低,或者半导体封装结构可能损坏或呈现为无法操作。
发明内容
在一些实施例中,半导体封装结构包含封装衬底及半导体裸片。所述封装衬底包含延伸穿过所述封装衬底的多个中空通孔。所述半导体裸片电连接到所述封装衬底。所述中空通孔安置于所述半导体裸片下方。
在一些实施例中,电子装置包含半导体封装结构、主衬底及散热装置。半导体封装结构包含封装衬底及半导体裸片。所述封装衬底包含延伸穿过所述封装衬底的多个第一中空通孔。所述半导体裸片电连接到所述封装衬底。所述第一中空通孔安置于所述半导体裸片下方。所述主衬底电连接到所述封装衬底。所述主衬底包含延伸穿过所述主衬底的多个第二中空通孔,并且所述第二中空通孔与所述第一中空通孔对准。所述散热装置用于耗散由所述半导体裸片产生的热量。所述热量通过所述第二中空通孔及所述第一中空通孔传输。
附图说明
当结合附图阅读时,易于根据以下详细描述理解本公开的一些实施例的各方面。应注意,各种结构可能未按比例绘制,且出于论述清楚起见,可任意增大或减小各种结构的尺寸。
图1说明根据本公开的一些实施例的电子装置的分解立体图。
图2说明图1的半导体封装结构的分解立体图。
图3说明图2的封装衬底及帽盖结构的部分放大的截面图。
图4说明图1的半导体封装结构的截面图。
图5说明图1的第一弹性层、中间块及第二层的立体图。
图6说明图1的第一弹性层、中间块、第二层及主衬底的组合件的部分放大的立体截面图。
图7说明图1的散热装置的组合截面图。
图8说明图1的U形管的立体图。
图9说明图1的U形管及主衬底的组合件的立体截面图。
图10说明图1的电子装置的组合截面图。
图11说明根据本公开的一些实施例的电子装置的分解立体图。
图12说明图11的U形管的立体图。
图13说明图11的U形管、主衬底及半导体封装结构的组合立体截面图。
图14说明图11的散热装置、U形管及主衬底的组合截面图。
图15说明图11的电子装置的组合截面图。
图16说明根据本公开的一些实施例的电子装置的分解立体图。
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