[发明专利]微加热器芯片、晶圆级电子芯片组件及芯片组件堆叠系统在审

专利信息
申请号: 202010042697.4 申请日: 2020-01-15
公开(公告)号: CN112992812A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 廖建硕;张德富 申请(专利权)人: 台湾爱司帝科技股份有限公司
主分类号: H01L23/34 分类号: H01L23/34;H01L23/367;H01L25/065
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 王红艳
地址: 中国*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 加热器 芯片 晶圆级 电子 组件 堆叠 系统
【权利要求书】:

1.一种应用于晶圆级电子芯片的微加热器芯片,其特征在于,所述微加热器芯片包括:

一暂时性承载基板;

一加热结构,所述加热结构设置在所述暂时性承载基板上;以及

一绝缘结构,所述绝缘结构设置在所述加热结构上;

其中,所述加热结构包括设置在所述暂时性承载基板上的一承载本体、设置在所述承载本体上或者内部的至少一微加热器以及多个贯穿所述承载本体的导电连接层;

其中,所述绝缘结构包括设置在所述加热结构上的一绝缘本体以及贯穿所述绝缘本体的多个导电材料层,且多个所述导电材料层分别电性连接于多个所述导电连接层。

2.根据权利要求1所述的应用于晶圆级电子芯片的微加热器芯片,其特征在于,所述导电材料层的一第一末端从所述绝缘本体裸露,以用于电性连接于一第一晶圆级电子芯片的一顶端导电接点,且所述导电材料层的一第二末端电性接触所述导电连接层的一第一末端;其中,当所述暂时性承载基板从所述微加热器芯片移除后,所述导电连接层的一第二末端从所述承载本体裸露,且所述导电连接层的所述第二末端通过一锡球以电性连接于一第二晶圆级电子芯片的一底端导电接点。

3.根据权利要求1所述的应用于晶圆级电子芯片的微加热器芯片,其特征在于,所述加热结构包括围绕所述至少一微加热器与多个所述导电连接层的绝缘性保护层,所述绝缘性保护层设置在所述暂时性承载基板与所述绝缘结构之间,且所述加热结构包括电性连接于所述至少一微加热器的一电源输入点。

4.一种晶圆级电子芯片组件,所述晶圆级电子芯片组件包括一晶圆级电子芯片以及设置在所述晶圆级电子芯片上的一微加热器芯片,其特征在于,所述微加热器芯片包括:一加热结构以及设置在所述加热结构与所述晶圆级电子芯片之间的一绝缘结构;

其中,所述加热结构包括一承载本体、设置在所述承载本体上或者内部的至少一微加热器以及多个贯穿所述承载本体的导电连接层;

其中,所述绝缘结构包括设置在所述加热结构与所述晶圆级电子芯片之间的一绝缘本体以及贯穿所述绝缘本体的多个导电材料层,且多个所述导电材料层分别电性连接于多个所述导电连接层。

5.根据权利要求4所述的晶圆级电子芯片组件,其特征在于,所述晶圆级电子芯片包括一电路承载体、被所述电路承载体所承载的一电路布局以及贯穿所述电路承载体的多个导电贯穿层,所述电路布局电性连接于多个所述导电贯穿层,且所述晶圆级电子芯片具有一顶端导电接点;其中,所述导电材料层的一第一末端电性连接于所述晶圆级电子芯片的所述顶端导电接点,且所述导电材料层的一第二末端电性接触所述导电连接层的一第一末端;其中,所述导电连接层的一第二末端从所述承载本体裸露,且所述导电连接层的所述第二末端通过一锡球以电性连接于一另一晶圆级电子芯片的一底端导电接点。

6.根据权利要求5所述的晶圆级电子芯片组件,其特征在于,所述加热结构包括围绕所述至少一微加热器与多个所述导电连接层的绝缘性保护层,且所述绝缘性保护层设置在所述绝缘结构与所述另一晶圆级电子芯片之间;其中,所述加热结构包括电性连接于所述至少一微加热器的一电源输入点,且所述电源输入点不会被所述另一晶圆级电子芯片所遮蔽;其中,所述晶圆级电子芯片组件的外侧面为一切割面。

7.一种芯片组件堆叠系统,所述芯片组件堆叠系统包括依序堆叠且彼此电性连接的多个晶圆级电子芯片组件,每一所述晶圆级电子芯片组件包括一晶圆级电子芯片以及设置在所述晶圆级电子芯片上的一微加热器芯片,其特征在于,所述微加热器芯片包括:一加热结构以及设置在所述加热结构与所述晶圆级电子芯片之间的一绝缘结构;

其中,所述加热结构包括一承载本体、设置在所述承载本体上或者内部的至少一微加热器以及多个贯穿所述承载本体的导电连接层;

其中,所述绝缘结构包括设置在所述加热结构与所述晶圆级电子芯片之间的一绝缘本体以及贯穿所述绝缘本体的多个导电材料层,且多个所述导电材料层分别电性连接于多个所述导电连接层。

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