[发明专利]微加热器芯片、晶圆级电子芯片组件及芯片组件堆叠系统

说明书

本发明公开一种微加热器芯片、晶圆级电子芯片组件及芯片组件堆叠系统。芯片组件堆叠系统包括依序堆叠且彼此电性连接的多个晶圆级电子芯片组件。每一晶圆级电子芯片组件包括一晶圆级电子芯片以及设置在晶圆级电子芯片上的一微加热器芯片。微加热器芯片包括一加热结构以及设置在加热结构与晶圆级电子芯片之间的一绝缘结构。加热结构包括一承载本体、设置在承载本体上或者内部的至少一微加热器以及多个贯穿承载本体的导电连接层。借此，微加热器芯片、晶圆级电子芯片组件以及芯片组件堆叠系统分别都能够拥有至少一微加热器，以利于对锡球进行加热。

技术领域

本发明涉及一种微加热器芯片、晶圆级电子芯片组件以及芯片组件堆叠系统，特别是涉及一种具有至少一微加器的微加热器芯片、具有至少一微加器的晶圆级电子芯片组件以及具有至少一微加器的芯片组件堆叠系统。

背景技术

现有的电子芯片会通过锡球的加热而电性连接于一电路板上，然而在现有技术中对于锡球的加热仍具有可改善空间。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种微加热器芯片、晶圆级电子芯片组件以及芯片组件堆叠系统。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种应用于晶圆级电子芯片的微加热器芯片，其包括：一暂时性承载基板、一加热结构以及一绝缘结构。所述加热结构设置在所述暂时性承载基板上，且所述绝缘结构设置在所述加热结构上。其中，所述加热结构包括设置在所述暂时性承载基板上的一承载本体、设置在所述承载本体上或者内部的至少一微加热器以及多个贯穿所述承载本体的导电连接层；其中，所述绝缘结构包括设置在所述加热结构上的一绝缘本体以及贯穿所述绝缘本体的多个导电材料层，且多个所述导电材料层分别电性连接于多个所述导电连接层。

更进一步地，所述导电材料层的一第一末端从所述绝缘本体裸露，以用于电性连接于一第一晶圆级电子芯片的一顶端导电接点，且所述导电材料层的一第二末端电性接触所述导电连接层的一第一末端；其中，当所述暂时性承载基板从所述微加热器芯片移除后，所述导电连接层的一第二末端从所述承载本体裸露，且所述导电连接层的所述第二末端通过一锡球以电性连接于一第二晶圆级电子芯片的一底端导电接点。

更进一步地，所述加热结构包括围绕所述至少一微加热器与多个所述导电连接层的绝缘性保护层，所述绝缘性保护层设置在所述暂时性承载基板与所述绝缘结构之间，且所述加热结构包括电性连接于所述至少一微加热器的一电源输入点。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种晶圆级电子芯片组件，其包括一晶圆级电子芯片以及设置在所述晶圆级电子芯片上的一微加热器芯片，其特征在于，所述微加热器芯片包括：一加热结构以及设置在所述加热结构与所述晶圆级电子芯片之间的一绝缘结构；其中，所述加热结构包括一承载本体、设置在所述承载本体上或者内部的至少一微加热器以及多个贯穿所述承载本体的导电连接层；其中，所述绝缘结构包括设置在所述加热结构与所述晶圆级电子芯片之间的一绝缘本体以及贯穿所述绝缘本体的多个导电材料层，且多个所述导电材料层分别电性连接于多个所述导电连接层。

更进一步地，所述晶圆级电子芯片包括一电路承载体、被所述电路承载体所承载的一电路布局以及贯穿所述电路承载体的多个导电贯穿层，所述电路布局电性连接于多个所述导电贯穿层，且所述晶圆级电子芯片具有一顶端导电接点；其中，所述导电材料层的一第一末端电性连接于所述晶圆级电子芯片的所述顶端导电接点，且所述导电材料层的一第二末端电性接触所述导电连接层的一第一末端；其中，所述导电连接层的一第二末端从所述承载本体裸露，且所述导电连接层的所述第二末端通过一锡球以电性连接于一另一晶圆级电子芯片的一底端导电接点。

更进一步地，所述加热结构包括围绕所述至少一微加热器与多个所述导电连接层的绝缘性保护层，且所述绝缘性保护层设置在所述绝缘结构与所述另一晶圆级电子芯片之间；其中，所述加热结构包括电性连接于所述至少一微加热器的一电源输入点，且所述电源输入点不会被所述另一晶圆级电子芯片所遮蔽；其中，所述晶圆级电子芯片组件的外侧面为一切割面。