[发明专利]一种SIH膜制备方法、红外带通多层膜制备方法

权利要求书

1.一种SIH膜制备方法,其特征在于,包括:

步骤S01,对溅射镀膜机腔体抽真空；所述步骤S01中腔体抽真空至4E-4～2.0E-3Pa；

步骤S02,将玻璃基片置于镀膜腔室内加热；所述步骤S02包括：将玻璃基片置于镀膜腔室内加热，加热温度为150-250℃，时间为30min-2h；

步骤S03,利用等离子气体Ar,对玻璃基片进行ICP离子预清洗；所述步骤S03包括：利用等离子气体Ar，控制流量为100-800sccm，ICP功率为0.5-4kW,对玻璃基片进行等离子预清洗1-10min；

步骤S04,在靶材附近充入Ar和H₂,在直流脉冲模式下用Ar和H₂轰击Si靶,在玻璃基片的衬底上形成SIH膜；所述步骤S04包括：在靶材附近充入20-300sccm的Ar和5-100sccm的H₂，在直流脉冲模式下用Ar和H₂将Si靶轰击出来并且反应生成SIH材料，沉积到玻璃基片的衬底上，形成SIH膜。

2.根据权利要求1所述的一种SIH膜制备方法，其特征在于，形成的SIH膜的折射率n大于3.68，消光系数k小于0.0002。

3.一种红外带通多层膜制备方法，其特征在于，包括：

步骤S10,采用权利要求1所述方法在玻璃基片上制备SIH膜；

步骤S20，在腔体内部充入Ar和O₂，生成SiO₂膜；所述步骤S20包括：在腔体内部充入100sccm-800sccm的Ar和100sccm-400sccmO₂，用Ar气轰击Si靶，将Si分子沉积在玻璃基片的衬底上，再通过与O₂作用，生成SiO₂膜；

步骤S30，重复步骤S10-S20形成红外带通多层膜。

4.根据权利要求3所述的一种红外带通多层膜制备方法，其特征在于，所述步骤S10和步骤S20的顺序可调换。

5.根据权利要求3所述的一种红外带通多层膜制备方法，其特征在于，用于制备近红外或中红外长波通滤光片或窄带滤光片。