[发明专利]一种SIH膜制备方法、红外带通多层膜制备方法

说明书

一种SIH膜制备方法、红外带通多层膜制备方法，属于镀膜技术领域。SIH膜制备方法包括：步骤S01，对溅射镀膜机腔体抽真空；步骤S02,将玻璃基片置于镀膜腔室内加热；步骤S03,利用等离子气体Ar,对玻璃基片进行ICP离子预清洗；步骤S04,在靶材附近充入Ar和H2,在直流脉冲模式下用Ar和H2轰击Si靶,在玻璃基片的沉底上形成SIH膜。红外带通多层膜制备方法包括：步骤S10,采用上述方法在玻璃基片上制备SIH膜；步骤S20，在腔体内部充入Ar和O2，用Ar轰击Si靶，生成SiO2膜；步骤S30，重复步骤S10‑S20形成红外带通多层膜。本发明生产成本低，产能高，能生产出N3.68,k0.0002特性的SIH膜和低角度效应的红外带通滤光片。

技术领域

本发明属于镀膜技术领域，具体涉及SIH膜制备方法、红外带通多层膜制备方法。

背景技术

现有光驰溅射镀膜机制备SIH材料的方法一般有两种。第一种，用光驰溅射机通过溅射高纯喷涂Si靶，将Si原子沉积在玻璃衬底上，同时在镀膜腔室内充入Ar以及不同比例的H2和O2的等气体,在等离子体的作用下生成含氧的SIH材料，且SIH的材料具有折射率n3.35，消光系数k0.0001等特性。第二种，用专属改造过的溅射机，溅射高纯绑定Si靶,同时在靶材附近内充入Ar和H2，通过等离子气体的氧化还原反应，将SIH分子沉积到玻璃基板上，制备出的SIH材料具有n3.68，k0.0002的特性。通过第一种方法制成的材料折射率比较低，在制备红外带通滤光片时大角度偏移有11.5-12nm且折射率低,膜层比较厚,制作成本高。第二种方法制成的材料，虽然折射率较大，但其采用的溅射机为外国进口设备，设备成本在2000万元以上，且设备产能低。

发明专利申请CN201910414368.5公开了一种红外窄带滤光片制造方法，并具体公开了方法包括：通过中频溅射的方式镀膜，在靶材溅射过程中向靶材直接冲氢气反应得到带铝的高折射率SIH材料层，其中，所述靶材为硅铝靶。所述中频溅射的方式包括：采用从上往下溅射镀膜，其中，溅射源在上，基材在下。采用该方法制备SIH材料的折射率仅在3.5以上，相比于第二种方法制备的材料折射率低。

发明内容

本发明针对现有技术存在的问题，提出了一种成本低、产能高的SIH膜制备方法、红外带通多层膜制备方法，以获得折射率高的SIH膜和具有低角度效应的红外带通滤光片。

本发明是通过以下技术方案得以实现的：

本发明一种SIH膜制备方法,包括:

步骤S01,对溅射镀膜机腔体抽真空；

步骤S02,将玻璃基片置于镀膜腔室内加热；

步骤S03,利用等离子气体Ar,对玻璃基片进行ICP离子预清洗；

步骤S04,在靶材附近充入Ar和H2,在直流脉冲模式下用Ar和H2轰击Si靶,在玻璃基片的沉底上形成SIH膜。

该方法制备简单，成本低。

作为优选，所述步骤S01中腔体抽真空至4E-4～2.0E-3Pa。

作为优选，所述步骤S02包括：将玻璃基片置于镀膜腔室内加热，加热温度为150-250℃，时间为30min-2H。

作为优选，所述步骤S03包括：利用等离子气体Ar，控制流量为100-800sccm，ICP(电感耦合等离子体Inductively Coupled Plasma)功率为0.5-4kw,对玻璃基片进行离子预清洗1-10min。

作为优选，所述步骤S04包括：在靶材附近充入20-200sccm的Ar和5-100sccm的H2，在直流脉冲模式下用Ar和H2将Si靶轰击出来并且反应生成SIH材料，沉积到玻璃基片的沉底上，形成SIH膜。

作为优选，形成的SIH膜的折射率n大于3.68，消光系数k小于0.0002。