[发明专利]一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂及其使用方法

权利要求书

1.一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂，其特征在于，由CBi₂O₅、Pb₃O₄、CuO、B₂O₃按一定质量比混合制成；

所述绝缘化剂各组分重量比分别为CBi₂O₅35-45、Pb₃O₄25-31.9、CuO20-25.4、B₂O₃10-12.7，其中，所述Pb₃O₄、CuO、B₂O₃重量比固定为25：20：10。

2.根据权利要求1所述的一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂，其特征在于，所述绝缘化剂各组分重量比分别为CBi₂O₅45、Pb₃O₄25、CuO20、B₂O₃10。

3.权利要求1-2所述的任一种绝缘化剂的使用方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、将CBi₂O₅、Pb₃O₄、CuO、B₂O₃按照一定的质量比充分混合后放入球磨机中球磨12h得到绝缘化剂；

步骤二、在匀胶机上，将得到的绝缘化剂在电容器瓷片上涂抹均匀；

步骤三、再将电容器瓷片放入管式炉中，在空气氛围下，在1180℃温度下保温2-4h后降温，经过0.5-1h降至900-930℃，再自然降温降至室温，得到阻值提高的电容器瓷片。