[发明专利]一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂及其使用方法

说明书

本发明涉及半导体、电子功能材料领域，公开了一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂及其使用方法，所述绝缘化剂中包括Pb₃O₄、CuO、B₂O₃，并用新的氧化剂CBi₂O₅替代了Bi₂O₃，将CBi₂O₅、Pb₃O₄、CuO、B₂O₃按一定质量比混合制成新的绝缘化剂，并通过瓷片绝缘化的过程，使用绝缘化剂，得到电阻值更高的电容器瓷片，提高电容器的性能。

技术领域

本发明属于半导体、电子功能材料领域，具体涉及一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂及其使用方法。

背景技术

STO晶界层电容的电阻取决于位于晶界处的绝缘层，国内一般采用二次烧结法法技术获得高阻值晶界层电容瓷片，因此在瓷片绝缘化时选择适当氧化剂涂覆物至关重要。同时由于在二次烧结法中，氧化剂涂覆物经过热扩散进入晶界形成第二相绝缘层，氧扩散进入晶粒表层形成扩散层，绝缘层和扩散层的厚度和形态很难控制，因此最终瓷片的电阻值大小和均匀性很难保证。目前国内市场的STO III类瓷，尺寸为1mm(长)×1mm(宽)，厚0.25mm，电容值为900-1000pF(介电常数25000–30000)，加载电压为50V时，电阻值一般在1G–5GΩ，耐压值小于100V，选择还有优良性质氧化剂的绝缘化剂，能有效的提升电容器瓷片的电阻，提升电容器的性能，因此，研发一种优良的绝缘化剂，对于提高电容器瓷片的阻值有着重要的意义。

发明内容

针对上述情况，本发明提供了一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂及其使用方法，用在载体(包含溶解剂和黏合剂)溶解度更高的氧化剂CBi₂O₅代替常用的Bi₂O₃得到更优良的绝缘化剂。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂，其特征在于，由CBi₂O₅、Pb₃O₄、CuO、B₂O₃按一定质量比混合制成。

优选的，所述绝缘化剂各组分重量比分别为CBi₂O₅35-45、Pb₃O₄25-31.9、CuO20-25.4、B₂O₃10-12.7，其中，所述Pb₃O₄、CuO、B₂O₃重量比固定为25：20：10。

进一步优选的，所述绝缘化剂各组分重量比分别为CBi₂O₅45、Pb₃O₄25、CuO20、B₂O₃10。

上述任一种绝缘化剂的使用方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、将CBi₂O₅、Pb₃O₄、CuO、B₂O₃按照一定的质量比充分混合后放入球磨机中球磨12h得到绝缘化剂；

步骤二、在匀胶机上，将得到的绝缘化剂在电容器瓷片上涂抹均匀；

步骤三、再将电容器瓷片放入管式炉中，在空气氛围下，在1180℃温度下保温2-4h后降温，经过0.5-1h降至900-930℃，再自然降温降至室温，得到阻值提高的电容器瓷片。

本发明所具有的有益效果为：