[发明专利]非易失性存储器与其操作方法

说明书

本发明公开了一种非易失性存储器与其操作方法。非易失性存储器包含多个存储器单元串列、多个位开关、存储器操作电路及多个源极开关。这些位开关电性连接于这些存储器单元串列。存储器操作电路电性连接于这些位开关，用以传送写入信号至存储器单元串列。这些源极开关电性连接于存储器单元串列，使得存储器单元串列经由源极开关接收偏压信号。在写入阶段中，当位开关中的第一位开关导通，使得第一存储器单元串列通过第一位开关接收写入信号时，电性连接于其他存储器单元串列的这些源极开关将导通。

技术领域

本发明是关于一种非易失性存储器及操作方法。

背景技术

在平面非易失性存储器的制备工艺已逐渐接近微型化的极限的情况下，为了更有效率地增加非易失性存储器的单位面积容量，三维非易失性存储器逐渐受到业界重视。三维非易失性存储器具有许多层叠层结构，可达到更高的存储容量，更具有优异的电子特性，例如具有良好的数据保存可靠性和操作速度。

发明内容

本发明的一实施例为一种非易失性存储器，包含存储器单元阵列、多个位开关、存储器操作电路及多个源极开关。存储器单元阵列包含多个存储器单元串列。位开关电性连接存储器单元串列。存储器操作电路电性连接位开关，并用以在写入阶段经由位开关传送写入信号至存储器单元阵列。源极开关电性连接存储器单元串列。存储器单元串列中至少一者是用以经由源极开关中至少一者接收偏压信号。在写入阶段时，当位开关中的一第一位开关导通，使得存储器单元串列中的第一存储器单元串列经由第一位开关接收写入信号时，电性连接于其他存储器单元串列的源极开关将导通。

本发明的另一实施例为一种非易失性存储器的操作方法，包含下列步骤：在写入阶段，导通第一位开关，使得写入信号经由第一位开关及第一位线被输入至第一存储器单元串列中的第一存储器单元。关断第一源极开关，使得第一存储器单元串列与偏压电路之间形成断路，且第一存储器单元串列中的第一位线及第一源极线通过第一存储器单元保持相同电位。

本发明的又一实施例为一种非易失性存储器，包含存储器单元阵列、多个位开关、存储器操作电路及多个源极开关。存储器单元阵列包含多个存储器单元串列。位开关电性连接存储器单元串列。存储器操作电路电性连接位开关，并用以在写入阶段经由位开关传送写入信号至存储器单元阵列。源极开关电性连接存储器单元串列。存储器单元串列中至少一者是用以经由源极开关中至少一者接收偏压信号。在写入阶段时，当位开关中的第一位开关导通，使得存储器单元串列中的第一存储器单元串列接收写入信号时，源极开关中电性连接于第一存储器单元串列的第一源极开关将关断。

据此，由于非易失性存储器是分别通过不同路径与开关传递写入信号及偏压信号，故能使每个存储器单元串列中的位线与源极线皆维持于相同的电位，以确保非易失性存储器在读写时的正确。

附图说明

图1A为根据本发明的部分实施例所绘示的非易失性存储器的示意图。

图1B为根据本发明的部分实施例所绘示的非易失性存储器的等效电路示意图。

图2为根据本发明的部分实施例所绘示的非易失性存储器的示意图。

图3A～图3E为根据本发明的部分实施例所绘示的非易失性存储器的运作状态示意图。

图4为根据本发明的部分实施例所绘示的非易失性存储器的操作方法示意图。

图5A为对应于写入目标的存储器单元串列中的电位检测图。

图5B为非对应于写入目标的存储器单元串列中的电位检测图。

【符号说明】

X...通道单元

X1...掺杂部

X2...掺杂部

Y...存储层

Y1...氧化层