[发明专利]一种金属-氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种金属-氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供一种金属-氧化物半导体场效应晶体管本体，在所述金属-氧化物半导体场效应晶体管本体表面依次沉积介电层和硼磷掺杂介电层；

对所述介电层和所述硼磷掺杂介电层进行刻蚀处理，在所述介电层和所述硼磷掺杂介电层表面形成上宽下窄的通孔，使所述金属-氧化物半导体场效应晶体管本体的表面通过所述通孔露出源极、漏极以及栅极，制得所述金属-氧化物半导体场效应晶体管；

对所述介电层和硼磷掺杂介电层进行刻蚀处理，在所述介电层和所述硼磷掺杂介电层表面形成上宽下窄的通孔的步骤包括：

对所述介电层和硼磷掺杂介电层进行干法刻蚀处理，在所述介电层和所述硼磷掺杂介电层表面形成通孔，使所述金属-氧化物半导体场效应晶体管本体的表面通过所述通孔露出源极、漏极以及栅极；

对所述通孔进行湿法刻蚀处理，使所述通孔呈现上宽下窄的形状，制得所述金属-氧化物半导体场效应晶体管。

2.根据权利要求1所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于，对所述通孔进行湿法刻蚀处理，使所述通孔呈现上宽下窄的形状的步骤包括：

将氢氟酸和水按照预定体积比配置刻蚀溶液；

采用所述刻蚀溶液对所述介电层和所述硼磷掺杂介电层中的通孔进行湿法刻蚀处理，通过控制刻蚀时间，使所述通孔呈现上宽下窄的形状。

3.根据权利要求1-2任一所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述介电层为二氧化硅层，所述硼磷掺杂介电层为硼磷掺杂二氧化硅层。

4.根据权利要求1-2任一所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管本体包括衬底，间隔设置在所述衬底上的源极和漏极，设置在所述源极和漏极上的绝缘层，以及设置在所述绝缘层上的栅极。

5.根据权利要求4所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述源极和漏极独立地选自硼掺杂的半导体材料或磷掺杂的半导体材料中的一种。

6.根据权利要求1-2任一所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于，对所述介电层和硼磷掺杂介电层进行刻蚀处理，在所述介电层和所述硼磷掺杂介电层表面形成上宽下窄的通孔之后还包括步骤：

在所述通孔内填充导电材料，在所述金属-氧化物半导体场效应晶体管本体表面蒸镀一层金属层；

对所述金属层进行图案化处理，得到三个互不相连的金属子层，所述三个金属子层通过所述通孔中的导电材料分别与源极、漏极以及栅极电连接。

7.根据权利要求6所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述导电材料为金、银、铜、铝或钨的一种或多种。

8.根据权利要求6所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于，对所述金属层进行图案化处理，得到三个互不相连的金属子层之后还包括步骤：

对所述三个金属子层对应于源极、漏极以及栅极的位置处进行打孔，并将导线穿过该孔并通过所述导电材料分别与源极、漏极以及栅极进行电连接。

9.一种金属-氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括金属-氧化物半导体场效应晶体管本体，依次设置在所述金属-氧化物半导体场效应晶体管本体上的介电层和硼磷掺杂介电层，所述介电层和所述硼磷掺杂介电层的表面先形成通孔，使所述介电层和所述硼磷掺杂介电层的表面通过所述通孔露出源极、漏极以及栅极，再使所述通孔呈现上宽下窄的形状。