[发明专利]一种金属-氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法

说明书

本发明提供一种金属‑氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，其中，所述方法包括步骤：在金属‑氧化物半导体场效应晶体管本体表面依次沉积介电层和硼磷掺杂介电层；对所述介电层和硼磷掺杂介电层进行刻蚀处理，在所述介电层和所述硼磷掺杂介电层表面形成上宽下窄的通孔，使所述金属‑氧化物半导体场效应晶体管本体的表面通过所述通孔露出源极、漏极以及栅极，制得所述金属‑氧化物半导体场效应晶体管。本发明通过在介电层和硼磷掺杂介电层上制备出呈现上宽下窄形状的通孔，从而增加所述通孔的宽度，以通孔的极限填充能力，增强金属‑氧化物半导体场效应晶体管的导电性能，同时也便于引出金属导线。

技术领域

本发明涉及场效应晶体管领域，尤其涉及一种金属-氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法。

背景技术

对于金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOS管)器件而言，接触通孔(Contacthole，CT)结构用于引出栅极、源极以及漏极三端。随着MOS间距越来越小。在满足一定深度的情况下，所述接触通孔的深宽比需求越来越大。

普通的铝铜合金已经完全不能满足接触通孔严格的填充需求，所以对于接触通孔要求比较高的产品通常使用金属钨来填充。然而，由于目前MOS管上的接触通孔尺寸很小，即使采用钨塞填充工艺也很难满足需求。因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种金属-氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，旨在解决现有金属-氧化物半导体场效应晶体管上的接触通孔尺寸较小，不便于在所述接触通孔内直接填充导电材料并引出金属导线的问题。

本发明为解决上述技术问题所采用的技术方案如下：

一种金属-氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其中，包括步骤：

提供一种金属-氧化物半导体场效应晶体管本体，在所述金属-氧化物半导体场效应晶体管本体表面依次沉积介电层和硼磷掺杂介电层；

对所述介电层和硼磷掺杂介电层进行刻蚀处理，在所述介电层和所述硼磷掺杂介电层表面形成上宽下窄的通孔，使所述金属-氧化物半导体场效应晶体管本体的表面通过所述通孔露出源极、漏极以及栅极，制得所述金属-氧化物半导体场效应晶体管。

所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其中，对所述介电层和硼磷掺杂介电层进行刻蚀处理，在所述介电层和所述硼磷掺杂介电层表面形成上宽下窄的通孔的步骤包括：

对所述介电层和硼磷掺杂介电层进行干法刻蚀处理，在所述介电层和所述硼磷掺杂介电层表面形成通孔，使所述金属-氧化物半导体场效应晶体管本体的表面通过所述通孔露出源极、漏极以及栅极；

对所述通孔进行湿法刻蚀处理，使所述通孔呈现上宽下窄的形状，制得所述金属-氧化物半导体场效应晶体管。

所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其中，对所述通孔进行湿法刻蚀处理，使所述通孔呈现上宽下窄的形状的步骤包括：

将氢氟酸和水按照预定体积比配置刻蚀溶液；

采用所述刻蚀溶液对所述介电层和所述硼磷掺杂介电层中的通孔进行湿法刻蚀处理，通过控制刻蚀时间，使所述通孔呈现上宽下窄的形状。

所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其中，所述介电层为二氧化硅层，所述硼磷掺杂介电层为硼磷掺杂二氧化硅层。

所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其中，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管本体包括衬底，间隔设置在所述衬底上的源极和漏极，设置在所述源极和漏极上的绝缘层，以及设置在所述绝缘层上的栅极。

所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其中，所述源极和漏极独立地选自硼掺杂的半导体材料或磷掺杂的半导体材料中的一种。