[发明专利]半导体激光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光元件，其特征在于，该半导体激光元件朝向上方依次具有各自由氮化物半导体构成的n侧半导体层、活性层和p侧半导体层，在所述p侧半导体层设有向上方突出的脊，

所述p侧半导体层具有：

未掺杂的第一部分，其与所述活性层的上表面相接地配置，并具有一个以上的半导体层；

电子屏障层，其与所述第一部分的上表面相接地配置，带隙能量比所述第一部分大，并含有p型杂质；

第二部分，其与所述电子屏障层的上表面相接地配置，并具有一个以上的p型半导体层，所述p型半导体层含有p型杂质；

所述第一部分具有：

未掺杂的p侧成分倾斜层，其带隙能量随着朝向上方而变大；

未掺杂的p侧中间层，其配置于所述p侧成分倾斜层的上方；

所述脊的下端位于所述p侧中间层。

2.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述第二部分具有：

上侧p型半导体层，其构成所述脊的上表面；

下侧p型半导体层，其配置在所述上侧p型半导体层和所述电子屏障层之间，并具有比所述上侧p型半导体层大的带隙能量。

3.如权利要求1或2所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述第一部分作为所述p侧中间层具有：

未掺杂的第一层，其具有比所述p侧成分倾斜层的平均带隙能量大且比所述电子屏障层的带隙能量小的带隙能量；

未掺杂的第二层，其具有比所述第一层的带隙能量大且比所述电子屏障层的带隙能量小的带隙能量。

4.如权利要求3所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述第一层以及所述第二层各自为单一成分的层，所述脊的下端位于所述第一层或所述第二层。

5.如权利要求3或4所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述第一层为GaN层。

6.如权利要求3至5中任一项所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述第二层为AlGaN层。

7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述p侧成分倾斜层由成分相互不同的多个子层构成，

所述p侧成分倾斜层的最下侧的子层由In_aGa_1-aN(0a1)构成，

所述p侧成分倾斜层的最上侧的子层由In_zGa_1-zN(0≦za)构成。

8.一种半导体激光元件，其特征在于，该半导体激光元件朝向上方依次具有各自由氮化物半导体构成的n侧半导体层、活性层和p侧半导体层，在所述p侧半导体层设有向上方突出的脊，

所述p侧半导体层具有：

未掺杂的第一部分，其与所述活性层的上表面相接地配置，并具有一个以上的半导体层；

电子屏障层，其与所述第一部分的上表面相接地配置，带隙能量比所述第一部分大，并含有p型杂质；

第二部分，其与所述电子屏障层的上表面相接地配置，并具有一个以上的p型半导体层，所述p型半导体层含有p型杂质；

所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度薄，

所述脊的下端位于所述第一部分。

9.如权利要求1至8中任一项所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述第一部分的厚度为400nm以上。

10.如权利要求1至9中任一项所述的半导体激光元件，其特征在于，

从所述脊的底面到所述电子屏障层的最短距离比从所述脊的上表面到所述电子屏障层的最短距离大。

11.如权利要求1至10中任一项所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述半导体激光元件具有设于所述脊的上表面的p电极，

所述p电极是具有比所述第二部分的折射率小的折射率的透明导电膜。