[发明专利]半导体激光元件及其制造方法

说明书

提供半导体激光元件，能够降低吸收损失从而能够提高效率。半导体激光元件朝向上方依次具有各自由氮化物半导体构成的n侧半导体层、活性层和p侧半导体层，在p侧半导体层设有向上方突出的脊。p侧半导体层具有：未掺杂的第一部分，其与活性层的上表面相接地配置，并具有一个以上的半导体层；电子屏障层，其与第一部分的上表面相接地配置，带隙能量比第一部分大，并含有p型杂质；第二部分，其与电子屏障层的上表面相接地配置，并具有一个以上的p型半导体层，p型半导体层含有p型杂质。第一部分具有：未掺杂的p侧成分倾斜，其层带隙能量随着朝向上方而变大；未掺杂的p侧中间层，其配置于p侧成分倾斜层的上方；脊的下端位于p侧中间层。

技术领域

本发明涉及一种半导体激光元件及其制造方法。

背景技术

如今，具有氮化物半导体的半导体激光元件(以下，也称为“氮化物半导体激光元件”)可以使从紫外线区域到绿色为止的光振荡，除了光盘的光源以外，还可以用于各种各样的用途。作为这样的半导体激光元件，已知的是在基板上依次具有n侧包覆层、n侧导光层、活性层、p侧导光层、p侧包覆层的构造(例如专利文献1、2、3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-273473号公报

专利文献2：日本特开2014-131019号公报

专利文献3：国际公开第2017/017928号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

在氮化物半导体激光元件的p侧的半导体层中添加Mg等p型杂质，但p型杂质产生深能级并产生光吸收。因此，p型杂质含有层中的光强度越大，则吸收损失越增大，斜率效率等效率越下降。因此，在本公开中，提出能够降低吸收损失，从而能够提高效率的半导体激光元件。

用于解决技术问题的手段

本公开的半导体激光元件的第一方式是一种半导体激光元件，其朝向上方依次具有各自由氮化物半导体构成的n侧半导体层、活性层和p侧半导体层，在所述p侧半导体层设有向上方突出的脊，

所述p侧半导体层具有：

未掺杂的第一部分，其与所述活性层的上表面相接地配置，并具有一个以上的半导体层；

电子屏障层，其与所述第一部分的上表面相接地配置，带隙能量比所述第一部分大，并含有p型杂质；

第二部分，其与所述电子屏障层的上表面相接地配置，并具有一个以上的p型半导体层，所述p型半导体层含有p型杂质；

所述第一部分具有：

未掺杂的p侧成分倾斜层，其带隙能量随着朝向上方而变大；

未掺杂的p侧中间层，其配置于所述p侧成分倾斜层的上方；

所述脊的下端位于所述p侧中间层。

本公开的半导体激光元件的第二方式是一种半导体激光元件，其朝向上方依次具有各自由氮化物半导体构成的n侧半导体层、活性层和p侧半导体层，在所述p侧半导体层设有向上方突出的脊，

所述p侧半导体层具有：

未掺杂的第一部分，其与所述活性层的上表面相接地配置，并具有一个以上的半导体层；

电子屏障层，其与所述第一部分的上表面相接地配置，带隙能量比所述第一部分大，并含有p型杂质；

第二部分，其与所述电子屏障层的上表面相接地配置，并具有一个以上的p型半导体层，所述p型半导体层含有p型杂质；

所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度薄，