[发明专利]导电凸块及其制作方法在审
申请号: | 202010046562.5 | 申请日: | 2020-01-16 |
公开(公告)号: | CN112864021A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 李盈颖 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/48 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;刘芳 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 及其 制作方法 | ||
1.一种导电凸块的制作方法,包括:
提供基板,所述基板包括至少一接垫以及保护层,其中所述保护层具有至少一开口,且所述至少一开口暴露出所述至少一接垫的一部分;
形成球底金属材料层以覆盖所述保护层与所述保护层所暴露出的所述至少一接垫,且所述球底金属材料层具有位于所述至少一开口内的至少一凹部;
进行第一电镀程序,以形成至少一第一导电部分于所述至少一凹部内,其中所述至少一第一导电部分的第一上表面切齐于所述球底金属材料层的顶表面;
进行第二电镀程序,以形成至少一第二导电部分于所述球底金属材料层上,其中所述至少一第二导电部分覆盖所述至少一第一导电部分与部分所述球底金属材料层;以及
移除所述球底金属材料层未被所述至少一第二导电部分覆盖的部分,以形成至少一球底金属垫,其中所述至少一第二导电部分、所述至少一第一导电部分以及所述至少一球底金属垫定义出至少一导电凸块,且所述至少一导电凸块与所述至少一接垫电性连接。
2.根据权利要求1所述的导电凸块的制作方法,还包括:
于进行所述第一电镀程序之前,形成第一图案化光致抗蚀剂层于所述球底金属材料层上,其中所述第一图案化光致抗蚀剂层具有至少一第一光致抗蚀剂开口,而所述至少一第一光致抗蚀剂开口位于所述至少一凹部的上方,且所述至少一第一光致抗蚀剂开口的口径等于或略大于所述至少一凹部的口径;以及
以所述第一图案化光致抗蚀剂层为电镀遮罩,进行所述第一电镀程序,而形成所述至少一第一导电部分于所述至少一凹部内。
3.根据权利要求2所述的导电凸块的制作方法,还包括:
于进行所述第二电镀程序之前,移除所述第一图案化光致抗蚀剂层,以暴露出所述球底金属材料层;
形成第二图案化光致抗蚀剂层于被暴露出的所述球底金属材料层上,其中所述第二图案化光致抗蚀剂层具有至少一第二光致抗蚀剂开口,且所述至少一第二光致抗蚀剂开口的口径大于所述至少一第一光致抗蚀剂开口的口径;以及
以所述第二图案化光致抗蚀剂层为电镀遮罩,进行所述第二电镀程序,以形成所述至少一第二导电部分于所述至少一第一导电部分与部分所述球底金属材料层上。
4.根据权利要求3所述的导电凸块的制作方法,其中所述至少一第二导电部分相对远离所述至少一第一导电部分的第二上表面为平坦表面。
5.根据权利要求1所述的导电凸块的制作方法,其中所述至少一第一导电部分具有相对于所述第一上表面的第一下表面,且所述第一上表面的表面积大于所述第一下表面的表面积。
6.根据权利要求1所述的导电凸块的制作方法,其中所述至少一第一导电部分的材质与所述至少一第二导电部分的材质相同。
7.一种导电凸块,适于配置于基板上,所述基板包括接垫以及保护层,其中所述保护层具有开口,且所述开口暴露出所述接垫的一部分,所述导电凸块包括:
球底金属垫,配置于所述保护层的所述开口内并延伸覆盖于部分所述保护层上,所述球底金属垫具有位于所述开口内的凹部;
第一导电部分,配置于所述球底金属垫的所述凹部内,且所述第一导电部分的第一上表面切齐于所述球底金属垫的顶表面;以及
第二导电部分,配置于所述第一导电部分与所述球底金属垫上,其中所述第二导电部分与所述第一导电部分的邻接处存在界面。
8.根据权利要求7所述的导电凸块,其中所述第二导电部分相对远离所述第一导电部分的第二上表面为平坦表面。
9.根据权利要求7所述的导电凸块,其中所述第一导电部分具有相对于所述第一上表面的第一下表面,且所述第一上表面的表面积大于所述第一下表面的表面积。
10.根据权利要求7所述的导电凸块,其中所述第一导电部分的材质与所述第二导电部分的材质相同。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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