[发明专利]导电凸块及其制作方法

说明书

本发明提供一种导电凸块及其制作方法。导电凸块适于配置于基板上。基板包括接垫以及保护层。保护层具有开口，且开口暴露出接垫的一部分。导电凸块包括球底金属垫、第一导电部分以及第二导电部分。球底金属垫配置于保护层的开口内并延伸覆盖于部分保护层上。球底金属垫具有位于开口内的凹部。第一导电部分配置于球底金属垫的凹部内。第一导电部分的第一上表面切齐于球底金属垫的顶表面。第二导电部分配置于第一导电部分与球底金属垫上。第二导电部分与第一导电部分的邻接处存在界面。

技术领域

本发明涉及一种导电结构及其制作方法，尤其涉及一种导电凸块及其制作方法。

背景技术

一般来说，玻璃覆晶(Chip-On-Glass,COG)封装中，芯片是通过异方性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film,ACF)内直径约为3微米的导电粒子与芯片上的导电凸块压合后产生形变而通电。若导电凸块的表面平整度不佳或高低差异过大，则易造成异方性导电胶膜的导电粒子压合不良，而导致电性导通异常。

然而，形成于芯片上的导电凸块的表面平整度与布设于芯片的半导体基板上的保护层的厚度有关。举例来说，当保护层的厚度越厚时，保护层暴露出接垫的开口深度与保护层的表面所产生的高度差也越大，进而导致后续形成于保护层及其开口上的导电凸块的表面平整度降低。因此，如何制作出表面平整度较高的导电凸块，已成为目前业界相当重视的课题之一。

发明内容

本发明提供一种导电凸块，具有较高的表面平整度。

本发明还提供一种导电凸块的制作方法，用以制作上述表面平整度较高的导电凸块。

本发明的导电凸块的制作方法，其包括以下步骤。提供基板。基板包括至少一接垫以及保护层。保护层具有至少一开口，且开口暴露出接垫的一部分。形成球底金属材料层以覆盖保护层与保护层所暴露出的接垫。球底金属材料层具有位于开口内的至少一凹部。进行第一电镀程序，以形成至少一第一导电部分于凹部内。第一导电部分的第一上表面切齐于球底金属材料层的顶表面。进行第二电镀程序，以形成至少一第二导电部分于球底金属材料层上。第二导电部分覆盖第一导电部分与部分球底金属材料层。移除球底金属材料层未被第二导电部分覆盖的部分，以形成至少一球底金属垫。第二导电部分、第一导电部分以及球底金属垫定义出至少一导电凸块。导电凸块与接垫电性连接。

在本发明的一实施例中，上述的导电凸块的製作方法还包括于进行第一电镀程序之前，形成第一图案化光致抗蚀剂层于球底金属材料层上。第一图案化光致抗蚀剂层具有至少一第一光致抗蚀剂开口，而第一光致抗蚀剂开口位于凹部的上方。第一光致抗蚀剂开口的口径等于或略大于凹部的口径。以第一图案化光致抗蚀剂层为电镀遮罩，进行第一电镀程序，而形成第一导电部分于凹部内。

在本发明的一实施例中，上述的导电凸块的製作方法还包括于进行第二电镀程序之前，移除第一图案化光致抗蚀剂层，以暴露出球底金属材料层。形成第二图案化光致抗蚀剂层于被暴露出的球底金属材料层上，其中第二图案化光致抗蚀剂层具有至少一第二光致抗蚀剂开口，且第二光致抗蚀剂开口的口径大于第一光致抗蚀剂开口的口径。以第二图案化光致抗蚀剂层为电镀遮罩，进行第二电镀程序，以形成第二导电部分于第一导电部分与部分球底金属材料层上。

在本发明的一实施例中，上述的第二导电部分相对远离第一导电部分的第二上表面为平坦表面。

在本发明的一实施例中，上述的第一导电部分具有相对于第一上表面的第一下表面，且第一上表面的表面积大于第一下表面的表面积。

在本发明的一实施例中，上述的第一导电部分的材质与第二导电部分的材质相同。