[发明专利]一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件，其特征在于它包括从左至右的ITO透明阴极、强电子注入层、BPhen电子传输层、TAZ发光层、CBP空穴传输层、三氧化钼空穴注入层和Al阳极，所述强电子注入层包括氧化锌层和碳酸铯层中的一种或两种或氧化锌-碳酸铯层。

2.根据权利要求1所述的基于强电子注入层的倒置结构OLED器件，其特征在于所述强电子注入层包括氧化锌层和碳酸铯层，所述氧化锌层设置在靠近所述ITO透明阴极的一端，所述碳酸铯层设置在靠近所述BPhen电子传输层的一端。

3.一种如权利要求1和2任一权利要求所述的倒置结构OLED器件的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：

（1）、碳酸铯-乙醇溶液的制备：将99.99%的碳酸铯粉体添加到99.7%的乙醇溶液中，并在100℃下持续加热至所述碳酸铯粉体完全溶解，制得浓度为2-8%的碳酸铯-乙醇溶液；

（2）、氧化锌-甲醇溶液的制备：将99.5%的氧化锌纳米粉体溶于99.9%的甲醇中，制得浓度为0.2-0.4%的氧化锌-甲醇溶液；

（3）、混合溶液的制备：将重量比为1-2:2-1的氧化锌-甲醇溶液和碳酸铯-乙醇溶液进行混合，制得所述混合溶液；

（4）、ITO透明阴极的处理：将ITO镀膜玻璃片置于超声频率为40KHz的超声清洗仪中并加入蒸馏水超声10-15min，并更换蒸馏水重复三次，将所述超声清洗仪中的蒸馏水更换为氯仿，超声10-15min并重复两次，将所述超声清洗仪中的氯仿更换为重量份数为1:1的异丙醇和丙酮，超声10-15min并重复两次，最后在紫外臭氧清洗机里进行辐射15-30min，得到所述ITO透明阴极；

（5）、倒置结构OLED器件的制备：在所述ITO透明阴极上以3000转/min的速度旋转涂覆所述碳酸铯-乙醇溶液和氧化锌-甲醇溶液中的一种或两种或混合溶液，然后在145-155℃的退火炉中进行退火15-30min，制得所述强电子注入层，然后在真空度为10^-4pa的多源热沉积真空室中依次沉积所述BPhen电子传输层、TAZ发光层、CBP空穴传输层、三氧化钼空穴注入层和Al阳极，制得所述倒置结构OLED器件。

4.根据权利要求3所述的倒置结构OLED器件的制备方法，其特征在于所述步骤（5）中旋转涂覆所述碳酸铯-乙醇溶液和氧化锌-甲醇溶液的步骤为先旋转涂覆所述氧化锌-甲醇溶液，再旋转涂覆所述碳酸铯-乙醇溶液。

5.根据权利要求3所述的倒置结构OLED器件的制备方法，其特征在于所述BPhen电子传输层的厚度为28-32nm，所述TAZ发光层的厚度为23-27nm，所述CBP空穴传输层的厚度为98-102nm，所述三氧化钼空穴注入层的厚度为4.5-5.5nm，所述Al阳极的厚度为198-202nm。