[发明专利]一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件及其制备方法在审
申请号: | 202010049437.X | 申请日: | 2020-01-16 |
公开(公告)号: | CN111211249A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 张小文;徐凯;王立惠;卢宗柳;刘黎明;王红航 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学;中国有色桂林矿产地质研究院有限公司;电子科技大学中山学院 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 广东中亿律师事务所 44277 | 代理人: | 杜海江 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 电子 注入 倒置 结构 oled 器件 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件及其制备方法,该倒置结构OLED器件包括从左至右的ITO透明阴极、强电子注入层、BPhen电子传输层、TAZ发光层、CBP空穴传输层、三氧化钼空穴注入层和Al阳极,强电子注入层包括氧化锌层和碳酸铯层中的一种或两种或氧化锌‑碳酸铯层,制备方法包括碳酸铯‑乙醇溶液、氧化锌‑甲醇溶液的制备及混合溶液的制备、ITO透明阴极的处理和倒置结构OLED器件的制备,本发明优选的选择碳酸铯和氧化锌复合作为强电子注入层,基于TAZ发光层,OLED器件表现出优异的短波长发射,具有2.42 mW/cm2的最大辐射度和0.85%的EQE,并提高了工作耐久性,XPS分析表明,s‑ZnO+Cs2CO3表现出优异的电子性能并有助于电子注入,从而提高了倒置结构OLED器件的电光性能。
技术领域
本发明涉及一种紫外有机发光器件,特别是一种OLED器件及其制备方法。
背景技术
现有的强电子注入层为了与OLED器件的制造工艺相兼容,大多是从活性碱金属Ca、Ba、Cs、Li、Al、有机分子并五苯和Liq、无机化合物LiF、CsF、Li2CO3和MoS2中进行热蒸发,耗能较多,成本较高,可满足的制造需求面较窄。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明提供一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件及其制备方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件,包括从左至右的ITO透明阴极、强电子注入层、BPhen电子传输层、TAZ发光层、CBP空穴传输层、三氧化钼空穴注入层和Al阳极,所述强电子注入层包括氧化锌层和碳酸铯层中的一种或两种或氧化锌-碳酸铯层。
所述强电子注入层包括氧化锌层和碳酸铯层,所述氧化锌层设置在靠近所述ITO透明阴极的一端,所述碳酸铯层设置在靠近所述BPhen电子传输层的一端。
一种制备上述倒置结构OLED器件的制备方法,包括以下步骤:
(1)、碳酸铯-乙醇溶液的制备:将99.99%的碳酸铯粉体添加到99.7%的乙醇溶液中,并在100℃下持续加热至所述碳酸铯粉体完全溶解,制得浓度为2-8%的碳酸铯-乙醇溶液。
(2)、氧化锌-甲醇溶液的制备:将99.5%的氧化锌纳米粉体溶于99.9%的甲醇中,制得浓度为0.2-0.4%的氧化锌-甲醇溶液。
(3)、混合溶液的制备:将重量比为1-2:2-1的氧化锌-甲醇溶液和碳酸铯-乙醇溶液进行混合,制得所述混合溶液。
(4)、ITO透明阴极的处理:将ITO镀膜玻璃片置于超声频率为40KHz的超声清洗仪中并加入蒸馏水超声10-15min,并更换蒸馏水重复三次,将所述超声清洗仪中的蒸馏水更换为氯仿,超声10-15min并重复两次,将所述超声清洗仪中的氯仿更换为重量份数为1:1的异丙醇和丙酮,超声10-15min并重复两次,最后在紫外臭氧清洗机里进行辐射15-30min,得到所述ITO透明阴极。
(5)、倒置结构OLED器件的制备:在所述ITO透明阴极上以3000转/min的速度旋转涂覆所述碳酸铯-乙醇溶液和氧化锌-甲醇溶液中的一种或两种或混合溶液,然后在145-155℃的退火炉中进行退火15-30min,制得所述强电子注入层,然后在真空度为10-4pa的多源热沉积真空室中依次沉积所述BPhen电子传输层、TAZ发光层、CBP空穴传输层、三氧化钼空穴注入层和Al阳极,制得所述倒置结构OLED器件。
所述步骤(5)中旋转涂覆所述碳酸铯-乙醇溶液和氧化锌-甲醇溶液的步骤为先旋转涂覆所述氧化锌-甲醇溶液,再旋转涂覆所述碳酸铯-乙醇溶液。
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