[发明专利]半导体装置及半导体电路

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

具有第1面及与上述第1面对置的第2面的半导体层，该半导体层具有：

与上述第2面接触的第1导电型的第1半导体区域；

与上述第2面接触的第2导电型的第2半导体区域；

第2导电型的第3半导体区域，设置于上述第1半导体区域与上述第1面之间、及上述第2半导体区域与上述第1面之间；

第1导电型的第4半导体区域，设置于上述第1半导体区域与上述第1面之间，在该第1导电型的第4半导体区域与上述第1半导体区域之间夹着上述第3半导体区域；

第2导电型的第5半导体区域，设置于上述第4半导体区域与上述第1面之间；

第1导电型的第6半导体区域，设置于上述第2半导体区域与上述第1面之间，在该第1导电型的第6半导体区域与上述第2半导体区域之间夹着上述第3半导体区域；

第1沟槽，在上述第1面侧与上述第4半导体区域接触而设置；和

第2沟槽，在上述第1面侧与上述第4半导体区域接触而设置，

第1栅极电极，设置于上述第1沟槽之中；

第1栅极绝缘膜，设置于上述第1栅极电极与上述第3半导体区域之间、及上述第1栅极电极与上述第4半导体区域之间，与上述第5半导体区域接触；

第2栅极电极，设置于上述第2沟槽之中；

第2栅极绝缘膜，设置于上述第2栅极电极与上述第3半导体区域之间、上述第2栅极电极与上述第4半导体区域之间；

第1电极，设置于上述半导体层的上述第1面侧，与上述第4半导体区域、上述第5半导体区域及上述第6半导体区域电连接；

第2电极，设置于上述半导体层的上述第2面侧，与上述第1半导体区域及上述第2半导体区域电连接；

第1电极焊盘，设置于上述半导体层的上述第1面侧，与上述第1栅极电极电连接，并被施加第1栅极电压；以及

第2电极焊盘，设置于上述半导体层的上述第1面侧，与上述第2栅极电极电连接，被施加第2栅极电压，

该半导体装置具有：包含上述第1半导体区域的第1区域、包含上述第2半导体区域的第2区域及设置于上述第1区域与上述第2区域之间、且上述第2沟槽的密度比上述第1区域高的第3区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第2区域的上述半导体层还具有第3沟槽，该第3沟槽在上述第1面侧与上述第6半导体区域接触而设置，

上述半导体装置还具备：

第1导电层，设置于上述第3沟槽中；以及

第1绝缘膜，设置于上述第1导电层与上述第3半导体区域之间、上述第1导电层与上述第6半导体区域之间。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

上述第1导电层与上述第1电极电连接。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，还具备：

第3电极焊盘，设置于上述半导体层的上述第1面侧，与上述第1导电层电连接。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，

上述第3区域的上述半导体层中设置的上述第2栅极绝缘膜与上述第5半导体区域不接触。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，

上述第3区域的上述半导体层中设置的上述第2栅极绝缘膜与上述第5半导体区域接触。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，

上述第3区域的上述半导体层还具有第4沟槽，该第4沟槽在上述第1面侧与上述第4半导体区域接触而设置，

上述半导体装置还具备：

第2导电层，设置于上述第4沟槽中，与上述第1栅极电极及上述第2栅极电极电分离；以及

第2绝缘膜，设置于上述第2导电层与上述第3半导体区域之间、上述第2导电层与上述第4半导体区域之间。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

上述第2导电层与上述第1电极电连接。