[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，其特征在于，

该基板处理方法包括：

使基板以水平姿势绕铅垂轴线旋转；

在第1供给期间自第1喷嘴向旋转的所述基板的表面供给第1处理液；以及

在第2供给期间自第2喷嘴向旋转的所述基板的表面供给第2处理液，

所述第1供给期间与所述第2供给期间至少局部重叠，在该重叠期间内，由自第1喷嘴喷出的第1处理液形成第1液柱，并且由自第2喷嘴喷出的第2处理液形成第2液柱，

在所述重叠期间中，在假设停止了来自所述第2喷嘴的所述第2处理液的喷出时的所述第1液柱的形状和配置以及在假设停止了来自所述第1喷嘴的所述第1处理液的喷出时的所述第2液柱的形状和配置满足下述条件：

作为所述第1液柱的中心轴线的第1中心轴线和作为所述第2液柱的中心轴线的第2中心轴线中的至少所述第2中心轴线相对于所述旋转轴线倾斜；

在沿着所述旋转轴线的方向观察时，通过由包含所述基板的表面在内的水平平面剖切所述第1液柱和所述第2液柱而得到的第1断面和第2断面至少局部重叠；以及

在沿着所述旋转轴线的方向观察时，所述第1中心轴线上的任意的点位于所述第2中心轴线上。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述第1中心轴线相对于所述铅垂轴线倾斜。

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述第1中心轴线与所述铅垂轴线平行。

4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述第1中心轴线与所述第2中心轴线以形成30度以下的角度的方式交叉。

5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述第1断面的中心位于所述第2断面内，且所述第2断面的中心位于所述第1断面内。

6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述第1断面的中心与所述第2断面的中心之间的距离为2mm以下。

7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

自所述第1中心轴线与所述第2中心轴线之间的交点到所述基板的表面的铅垂方向距离为3mm以下。

8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述第1喷嘴和所述第2喷嘴以无法相对移动的方式固定于共用的一个喷嘴保持件。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理方法，其中，

所述第1处理液和所述第2处理液为相同种类的处理液或者为不同种类的处理液，所述第1供给期间为在时间上比所述第2供给期间靠前的期间或在时间上比所述第2供给期间靠后的期间。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的基板处理方法，其中，

在旋转的所述基板的周围配置液体接收杯，一边利用所述液体接收杯接收自所述基板飞散的处理液，并且一边利用顶板覆盖所述液体接收杯的上部开口部，在所述第1供给期间和所述第2供给期间中的至少一部分期间，一边向所述顶板与所述基板之间的空间供给非活性气体，一边执行所述基板处理方法。

11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，

所述第1喷嘴和所述第2喷嘴以无法相对移动的方式固定于所述顶板，或者所述第1喷嘴和所述第2喷嘴以无法相对移动的方式固定于喷嘴保持件，并且所述喷嘴保持件插入在所述顶板的中心部设置的开口部。