[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

说明书

本发明提供基板处理方法和基板处理装置。防止或至少大幅抑制在自分别的喷嘴同时向基板上供给第1处理液和第2处理液时由第1处理液和第2处理液的相互干扰引起的液体飞溅和/或形成于基板上的处理液的液膜厚度的不均匀。由第1处理液形成的第1液柱和由第2处理液形成的第2液柱满足下述关系。作为第1液柱的中心轴线的第1中心轴线和作为第2液柱的中心轴线的第2中心轴线中的至少第2中心轴线相对于基板的旋转轴线倾斜。在沿着旋转轴线的方向观察时，通过由包含基板的表面在内的水平平面剖切第1液柱和第2液柱而得到的第1断面和第2断面至少局部重叠。在沿着所述旋转轴线的方向观察时，第1中心轴线上的任意的点位于第2中心轴线上。

技术领域

本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。

背景技术

在半导体装置的制造中，对基板进行化学溶液清洗、湿蚀刻等液体处理。在液体处理中，依次向基板供给多种处理液例如化学溶液(例如DHF)、冲洗液(例如DIW)、干燥用液体(例如IPA)(例如参照专利文献1)。在专利文献1中，记载有使冲洗喷嘴供给DIW的期间的末期和干燥用液体喷嘴供给IPA的期间的始期在时间上重叠的方法。

专利文献1：日本特开2017－108190号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种防止或至少大幅抑制在自分别的喷嘴同时向基板上供给第1处理液和第2处理液时由第1处理液和第2处理液的相互干扰引起的液体飞溅和/或形成于基板上的处理液的液膜厚度的不均匀的技术。

用于解决问题的方案

基板处理方法的一技术方案提供一种基板处理方法，其特征在于，该基板处理方法包括：使基板以水平姿势绕铅垂轴线旋转；在第1供给期间自第1喷嘴向旋转的所述基板的表面供给第1处理液；以及在第2供给期间自第2喷嘴向旋转的所述基板的表面供给第2处理液，所述第1供给期间与所述第2供给期间至少局部重叠，在该重叠期间内，由自第1喷嘴喷出的第1处理液形成第1液柱并且由自第2喷嘴喷出的第2处理液形成第2液柱，在所述重叠期间中，在假设停止了来自所述第2喷嘴的所述第2处理液的喷出时的所述第1液柱的形状和配置以及在假设停止了来自所述第1喷嘴的所述第1处理液的喷出时的所述第2液柱的形状和配置满足下述条件：作为所述第1液柱的中心轴线的第1中心轴线和作为所述第2液柱的中心轴线的第2中心轴线中的至少所述第2中心轴线相对于所述旋转轴线倾斜；在沿着所述旋转轴线的方向观察时，通过由包含所述基板的表面在内的水平平面剖切所述第1液柱和所述第2液柱而得到的第1断面和第2断面至少局部重叠；以及在沿着所述旋转轴线的方向观察时，所述第1中心轴线上的任意的点位于所述第2中心轴线上。

发明的效果

根据本公开，能够防止或至少大幅抑制在自分别的喷嘴同时向基板上供给第1处理液和第2处理液时由第1处理液和第2处理液的相互干扰引起的液体飞溅和/或形成于基板上的处理液的液膜厚度的不均匀。

附图说明

图1是一实施方式所涉及的基板处理装置的纵剖侧视图。

图2是图1的基板处理装置中包含的处理单元的概略纵剖视图。

图3是说明喷嘴的配置的剖视图。

图4是说明第1喷嘴的配置和处理液的喷出的图。

图5是说明第2喷嘴的配置和处理液的喷出的图。

图6是说明第3喷嘴的配置和处理液的喷出的图。

图7是表示由图1的基板处理装置执行的液体处理的一个例子的时序图。

图8是说明以往技术的图。