[发明专利]一种具有集成续流二极管的GaN纵向场效应晶体管有效
| 申请号： | 202010051716.X | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111223937B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;欧阳东法;郗路凡;孙涛;杨超;邓思宇;魏杰;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 集成 二极管 gan 纵向 场效应 晶体管 | ||
1.一种具有集成续流二极管的GaN纵向场效应晶体管，从下到上包括：漏极结构、N型漂移区(11)及N型外延层(14)，所述N型外延层(14)中部向上凸起从而呈倒“T”字形结构，中部向上凸起部分形成JFET区(6)，JFET区(6)顶部设置有P型掺杂区(5)，所述P型掺杂区(5)上部两侧有第一N型高掺杂区(3)；所述漏极结构包括N型漏区(12)和及其下的漏电极(13)；
在所述JFET区(6)两侧的N型外延层(14)的上表面设置有P型阱区(10)；在P型掺杂区(5)和JFET区(6)的侧面以及P型阱区(10)靠近JFET区(6)一侧的上表面覆盖有第一绝缘介质(4)，第一绝缘介质(4)呈“L”字型结构；所述P型阱区(10)上部设置有第二N型高掺杂区(9)，且第二N型高掺杂区(9)与JFET区(6)的侧面有间距，即第一绝缘介质(4)覆盖JFET区(6)与第二N型高掺杂区(9)之间的P型阱区(10)上表面，且还覆盖部分第二N型高掺杂区(9)的上表面，第一绝缘介质(4)与位于第一绝缘介质(4)底部上表面的栅电极(7)构成栅极结构；在P型阱区(10)远离JFET区(6)一侧的上表面有第一导电材料(8)，第一导电材料(8)覆盖在部分第二N型高掺杂区(9)的上表面，且第一导电材料(8)与所述栅极结构有间距；在栅电极(7)上有第二绝缘介质(15)，在第二绝缘介质(15)上有控制栅极(2)，所述控制栅极(2)与栅电极(7)被第二绝缘介质(15)隔开，第二绝缘介质(15)、控制栅极(2)的侧面与第一绝缘介质(4)接触；
所述第一N型高掺杂区(3)和P型掺杂区(5)上有第二导电材料(1)，第二导电材料(1)的两侧与第一绝缘介质(4)接触；所述第一导电材料(8)与第二导电材料(1)共同引出端为源极；
其中，第二导电材料(1)、控制栅极(2)、第一N型高掺杂区(3)、第一绝缘介质(4)、P型掺杂区(5)、JFET区(6)、N型漂移区(11)、N型漏区(12)与漏电极(13)构成续流二极管。
2.根据权利要求1所述的一种具有集成续流二极管的GaN纵向场效应晶体管，其特征在于，所述控制栅极(2)与源极相连。
3.根据权利要求1所述的一种具有集成续流二极管的GaN纵向场效应晶体管，其特征在于，所述控制栅极(2)接固定电位。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010051716.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：网络质量测试方法、装置、设备及存储介质
- 下一篇：一种方便操作的紧固螺栓
- 同类专利
- 专利分类
