[发明专利]一种具有集成续流二极管的纵向GaN MOS有效
| 申请号： | 202010051717.4 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111146292B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;孙涛;欧阳东法;郗路凡;杨超;邓思宇;魏杰;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 集成 二极管 纵向 gan mos | ||
1.一种具有集成续流二极管的纵向GaN MOS，从上到下包括：源电极(2)、第一N型高掺杂区(3)、N型漂移区(1)、N型漏区(4)及漏电极(5)，所述N型漂移区(1)中部向上凸起从而呈倒“T”字形结构，在N型漂移区(1)凸起的顶部与源电极(2)之间有第一N型高掺杂区(3)；
所述N型漂移区(1)上层两端设置有P型阱区(6)，P型阱区(6)与N型漂移区(1)凸起部分之间有间距，所述P型阱区(6)上层中部设置有第二N型高掺杂区(7)；在第一N型高掺杂区(3)和N型漂移区(1)凸起部分的侧壁上覆盖有第一绝缘介质(8)，且第一绝缘介质(8)沿N型漂移区(1)上表面向远离N型漂移区(1)凸起部分的方向延伸并覆盖部分P型阱区(6)、第二N型高掺杂区(7)的上表面，第一绝缘介质(8)呈“L”字型结构；所述第一绝缘介质(8)的横向部分上表面具有栅电极(9)，所述栅电极(9)的长度L1小于第一绝缘介质(8)的横向部分的长度L2；在栅电极(9)上覆盖有第二绝缘介质(10)，所述第二绝缘介质(10)沿栅电极(9)的两侧向下延伸至与第一绝缘介质(8)上表面接触，第二绝缘介质(10)还与第一绝缘介质(8)的垂直部分接触；所述源电极(2)覆盖在第一N型高掺杂区(3)、第一绝缘介质(8)、第二绝缘介质(10)、第二N型高掺杂区(7)及P型阱区(6)上表面；
其中，源电极(2)、第一N型高掺杂区(3)、第一绝缘介质(8)、N型漂移区(1)、N型漏区(4)与漏电极(5)构成续流二极管。
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