[发明专利]一种电子设备散热微流控芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种电子设备散热微流控芯片，其特征在于，包括：

第一基片，所述第一基片的正面均匀设有多条相互平行的第一凹槽；

第二基片，所述第二基片的正面均匀设有多条相互平行的第二凹槽；

所述第一基片的正面键合有所述第二基片，使得所述第一凹槽与所述第二凹槽相对齐，形成流体通道；

散热流体，所述流体通道内填充有所述散热流体。

2.根据权利要求1所述的电子设备散热微流控芯片，其特征在于，还包括金属镀层，所述第一基片的背面设置所述金属镀层。

3.根据权利要求1所述的电子设备散热微流控芯片，其特征在于，所述散热流体填充在所述流体通道的充盈率为40％-60％。

4.根据权利要求1所述的电子设备散热微流控芯片，其特征在于，相邻的所述第一凹槽首尾相连；相邻的所述第二凹槽首尾相连。

5.根据权利要求1所述的电子设备散热微流控芯片，其特征在于，相邻的所述第一凹槽的间隔为2.5-5mm；相邻的所述第二凹槽的间隔为2.5-5mm。

6.根据权利要求1所述的电子设备散热微流控芯片，其特征在于，所述第一凹槽的宽度为700～800μm，所述第一凹槽的深度为300～400μm；所述第二凹槽的宽度为700～800μm，所述第二凹槽的深度为300～400μm。

7.根据权利要求1所述的电子设备散热微流控芯片，其特征在于，所述散热流体为纳米流体。

8.根据权利要求1所述的电子设备散热微流控芯片，其特征在于，所述纳米流体包括分散相和分散介质；所述分散相选自纳米金属粒子、氧化物、纳米碳管和石墨烯中的一种或多种；所述分散介质选自水、乙二醇、油、甲苯、丙三醇、乙醇、氨水、1，1，1，2-四氟乙烷、全卤化氯氟烃和全氟三乙胺中的一种或多种。

9.一种电子设备散热微流控芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、采用离子刻蚀加工技术或激光加工技术，将第一基片的正面均匀设有多条相互平行的第一凹槽；将第二基片的正面均匀设有多条相互平行的第二凹槽；

步骤2、将所述第一凹槽或/和所述第二凹槽填充散热流体；

步骤3、将所述第一基片的第一凹槽与所述第二基片的第二凹槽相互对齐键合，使得所述第一凹槽与所述第二凹槽形成流体通道，得到电子设备散热微流控芯片。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第一基片的背面电镀金属镀层。