[发明专利]用于沉积法镀膜的设备及控制镀膜厚度的系统和方法

说明书

本发明涉及测量系统技术领域，提供了用于沉积法镀膜的设备及控制镀膜厚度的系统和方法。该控制镀膜厚度的系统包括电容装置、电容值测量模块、控制器和设于镀膜设备的沉积气阀门；电容装置设于镀膜设备内并与电容值测量模块相连；电容值测量模块与控制器相连，电容值测量模块用于测量电容装置的电容值并将电容值发送给控制器，控制器用于将接收到的电容值与预设电容阈值比较，若接收到的电容值大于预设电容阈值，则控制沉积气阀门停止向镀膜槽内通入沉积气。由于在镀膜设备内设置了电容装置，在镀膜设备通入沉积气的过程中可以通过电容值来检测镀膜厚度，从而实现对镀膜厚度的控制。

技术领域

本发明涉及测量系统技术领域，尤其涉及用于沉积法镀膜的设备及控制镀膜厚度的系统和方法。

背景技术

沉积法镀膜工艺是指利用化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的工艺，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，在晶体硅上沉积氮化硅膜就是一个很好的例子。晶体硅材料是一种半导体材料，太阳能电池发电原理主要就是利用这种半导体的光电效应，太阳光照射到晶体硅材料表面时会发生反射和折射，因此照射到硅材料表面的光不能充分被吸收，为了最大限度地减少反射损失，可以采用在电池上镀一层或多层折射率和厚度与电池匹配的减反射膜来提高电池的转化效率。目前的沉积法镀膜工艺是通过对通入的沉积气的流量和时间进行控制从而间接控制镀膜厚度，导致镀膜厚度不能精确控制，只能保持在一个大致范围，导致晶体硅的镀膜厚度不能被严格控制，影响了成品的质量。

发明内容

本发明的目的是提供一种在能够在沉积法镀膜过程中实现对镀膜厚度控制的控制镀膜厚度的系统及方法。

为解决上述技术问题，本发明的第一个方面提供了一种控制镀膜厚度的系统，包括电容装置、电容值测量模块、控制器和设于镀膜设备的沉积气阀门；所述电容装置设于所述镀膜设备内并与所述电容值测量模块相连，所述电容装置用于将镀膜厚度的变化转换为电容值的变化；所述电容值测量模块与所述控制器相连，所述电容值测量模块用于测量所述电容装置的电容值并将所述电容值发送给所述控制器，所述控制器用于将接收到的电容值与预设电容阈值比较，若接收到的电容值大于预设电容阈值，则控制所述沉积气阀门停止向所述镀膜设备内通入沉积气。

在一个实施例中，所述电容装置包括相间隔且相平行设置的两个金属片；所述控制器包括镀膜厚度分析模块，所述控制器与显示模块相连，所述镀膜厚度分析模块用于根据所述电容值计算镀膜厚度，所述显示模块用于显示所述镀膜厚度。

在一个实施例中，所述金属片可拆卸地设于所述镀膜设备内。

在一个实施例中，所述电容装置还包括绝缘支架，所述金属片设于所述绝缘支架，所述镀膜设备的内侧壁设有与所述绝缘支架相配合的固定插口。

在一个实施例中，所述绝缘支架由聚偏氟乙烯制成。

本发明的第二个方面提供了一种用于沉积法镀膜的设备，包括前述控制镀膜厚度的系统。

本发明的第三个方面提供了一种控制镀膜厚度的方法，使用前述控制镀膜厚度的系统来控制沉积法镀膜工艺的镀膜厚度，所述方法包括：

控制沉积气阀门向镀膜设备中通入沉积气；

接收电容值测量电路测得的电容值；

将接收到的电容值与预设电容阈值比较，若接收到的电容值大于预设电容阈值，则控制镀膜设备停止向镀膜槽内通入沉积气。

本发明的第四个方面提供了一种控制镀膜厚度的方法，使用前述控制镀膜厚度的系统来控制沉积法镀膜工艺的镀膜厚度，所述方法包括：

控制沉积气阀门向镀膜设备中通入沉积气；

接收电容值测量电路测得的电容值；

将接收到的电容值与预设电容阈值比较，若接收到的电容值大于预设电容阈值，则控制镀膜设备停止向镀膜槽内通入沉积气；