[发明专利]一种复合基板及其制造方法、表声波谐振器及其制造方法

权利要求书

1.一种复合基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一基板；

在所述第一基板上沉积衬垫层，所述衬垫层至少包括多晶材料层；

在所述多晶材料层上通过物理或化学沉积方法沉积用于产生声波谐振的压电感应薄膜；

对所述压电感应薄膜进行再结晶退火处理，使所述压电感应薄膜达到多晶态，其中所述结晶退火包括升温过程和冷却过程，所述升温过程包括对所述压电感应薄膜进行升温使所述压电感应薄膜达到熔融状态。

2.如权利要求1所述的复合基板的制造方法，其特征在于，所述对所述压电感应薄膜进行再结晶退火处理后还包括：

通过机械或机械化学抛光工艺对所述压电感应薄膜的上表面进行抛光处理，抛光处理后的所述压电感应薄膜的表面粗糙指数低于10纳米。

3.如权利要求2述的复合基板的制造方法，其特征在于，所述对所述压电感应薄膜的上表面进行抛光处理后还包括：

通过离子束修整工艺对所述压电感应薄膜的上表面进行修整，修整后的所述压电感应薄膜的表面厚度均匀性小于2％。

4.如权利要求1所述的复合基板的制造方法，其特征在于，所述压电感应薄膜的材质包括铌酸锂、钽酸锂、四硼酸锂，锗酸铋，硅酸镓镧，正磷酸铝或铌酸钾中的一种或它们的组合。

5.如权利要求1所述的复合基板的制造方法，其特征在于，所述压电感应薄膜的厚度为0.01-10微米。

6.如权利要求1所述的复合基板的制造方法，其特征在于，所述再结晶退火处理包括：

炉管退火，对所述第一基板、第一基板上沉积的衬垫层和压电感应薄膜整体均匀加热；

或，

包括激光退火，对所述压电感应薄膜局部加热使之再结晶。

7.如权利要求6所述的复合基板的制造方法，其特征在于，所述激光退火包括：在真空、氮气或氧气氛围中，对所述压电感应薄膜进行激光退火。

8.如权利要求6所述的复合基板的制造方法，其特征在于，所述压电感应薄膜的材质为铌酸锂或钽酸锂，通过所述炉管退火对所述压电感应薄膜进行再结晶退火处理包括：

对所述第一基板、衬垫层、压电感应薄膜整体均匀加热至1100-1300度，加热时间5至30秒，再冷却至室温，所述冷却的降温速率低于每秒5摄氏度。

9.如权利要求1所述的复合基板的制造方法，其特征在于，形成所述压电感应薄膜包括：

采用纯度大于99.99％的靶材，通过物理气相沉积法形成微晶或非晶态的所述压电感应薄膜。

10.如权利要求1所述的复合基板的制造方法，其特征在于，所述多晶材料层包括多晶氧化铝、多晶二氧化硅或多晶碳化硅，。

11.如权利要求1所述的复合基板的制造方法，其特征在于，所述衬垫层还包括声波反射层，所述声波反射层设置于所述第一基板与所述多晶材料层之间。

12.如权利要求11所述的复合基板的制造方法，其特征在于，所述声波反射层的材料包括氧化铝、二氧化硅、氮化硅或碳化硅，或者它们的组合。

13.如权利要求11所述的复合基板的制造方法，其特征在于，所述声波反射层和所述多晶材料层为同一层，所述衬垫层的材料包括多晶氧化铝、多晶二氧化硅或多晶碳化硅。

14.一种复合基板，其特征在于，包括：

第一基板；

衬垫层，位于所述第一基板上表面，所述衬垫层至少包括多晶材料层；

用于产生声波谐振的压电感应薄膜，位于所述多晶材料层上方，所述压电感应膜为多晶态。