[发明专利]一种复合基板及其制造方法、表声波谐振器及其制造方法

说明书

本发明提供了一种复合基板及其制造方法、表声波谐振器及其制造方法，其中复合基板的制造方法包括：提供第一基板；在所述第一基板上沉积衬垫层，所述衬垫层至少包括多晶材料层；在所述多晶材料层上通过物理或化学沉积方法沉积用于产生声波谐振的压电感应薄膜；对所述压电感应薄膜进行再结晶退火处理，使所述压电感应薄膜达到多晶态，其中所述结晶退火包括升温过程和冷却过程，所述升温过程包括对所述压电感应薄膜进行升温使所述压电感应薄膜达到熔融状态。所述复合基板包括：第一基板；衬垫层，位于所述第一基板上表面，所述衬垫层至少包括多晶材料层；用于产生声波谐振的压电感应薄膜，位于所述多晶材料层上方，所述压电感应膜为多晶态。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种复合基板及其制造方法和表声波谐振器及其制造方法。

背景技术

随着移动通信技术的发展，移动数据传输量也迅速上升。因此，在频率资源有限以及应当使用尽可能少的移动通信设备的前提下，提高无线基站、微基站或直放站等无线功率发射设备的发射功率成了必须考虑的问题，同时也意味着对移动通信设备前端电路中滤波器功率的要求也越来越高。

目前，无线基站等设备中的大功率滤波器主要是以腔体滤波器为主，其功率可达上百瓦，但是这种滤波器的尺寸太大。也有的设备中使用介质滤波器，其平均功率可达5瓦以上，这种滤波器的尺寸也很大。由于尺寸大，所以这腔体滤波器无法集成到射频前端芯片中。

基于半导体微加工工艺技术的薄膜滤波器中一种主要滤波器为表面声波谐振器(SAW)。现有技术中，表面声波谐振器所用的压电基板通常为硅基板与单晶压电晶圆键合减薄后而形成。然而，单晶压电晶圆材料非常脆，在半导体工艺中极易发生破裂，工艺菜单需要特殊的设计，降低了生产效率。而且目前最大的圆片尺寸还停留在6寸，甚至有许多滤波器厂家的工艺线使用的还是4寸工艺，单片晶圆生产的滤波器芯片数量较少。另外，单晶圆片成本比较高，导致声表面波滤波器的成本不能进一步降低。

因此如何解决压电晶圆在工艺中碎裂，提高基板的生产效率，降低成本是目前面临的问题。

发明内容

本发明揭示了一种复合基板及其制造方法和表声波谐振器及其制造方法，以解决压电感应薄膜晶片在制作过程中易碎裂、成本高，效率低的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种复合基板的制造方法，包括：

提供第一基板；

在所述第一基板上沉积衬垫层，所述衬垫层至少包括多晶材料层；

在所述多晶材料层上通过物理或化学沉积方法沉积用于产生声波谐振的压电感应薄膜；

对所述压电感应薄膜进行再结晶退火处理，使所述压电感应薄膜达到多晶态，其中所述结晶退火包括升温过程和冷却过程，所述升温过程包括对所述压电感应薄膜进行升温使所述压电感应薄膜达到熔融状态。

本发明还提供了一种复合基板，包括：

第一基板；

衬垫层，位于所述第一基板上表面，所述衬垫层至少包括多晶材料层；

用于产生声波谐振的压电感应薄膜，位于所述多晶材料层上方，所述压电感应膜为多晶态。

本发明还提供了一种表声波谐振器，包括上述的复合基板。

本发明还提供了一种表声波谐振器的制造方法，包括：上述的复合基板，所述制造方法还包括：

提供所述复合基板；

在所述压电感应薄膜上形成第一叉指换能器和第二叉指换能器。

本发明的有益效果在于：