[发明专利]一种半导体精密阀门镜面处理方法

权利要求书

1.一种半导体精密阀门镜面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：将半导体精密阀门水平放置，采用直径为2.5mm的180#橡胶磨头对直径为3mm的孔的孔壁研磨20秒，再往孔内加入研磨膏，并采用直径为3mm的羊毛磨头抛光30秒；

S2：采用直径为3.5mm的180#橡胶磨头对直径为4mm的孔的孔壁研磨20秒，再往孔内加入研磨膏，并采用直径为4mm的羊毛磨头抛光30秒；

S3：采用直径为12mm的金字塔纱布磨头对半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔的孔壁进行研磨；

S4：向半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔加入研磨膏，再采用直径为10mm的羊毛毡磨头对孔底进行研磨以及直径为12mm的羊毛磨头对孔底进行抛光；

S5：将半导体精密阀门垂直放置，采用直径为4mm的180#橡胶磨头对直径为5mm的孔壁研磨40秒，再往孔内加入研磨膏，并采用直径为5mm的羊毛磨头对孔研磨60秒；

S6：将半导体精密阀门翻转放置，采用直径为3.5mm的180#橡胶磨头对直径为4mm的孔的孔壁研磨20秒，再往孔内加入研磨膏，并采用直径为4mm的羊毛磨头对孔抛光30秒；

S7：采用直径为12mm的倒锥羊毛磨头对直径为16.6mm的孔的孔底研磨30秒，同时向孔内加入研磨膏；

S8：采用直径为12mm的金字塔纱布磨头对直径为16.6mm的孔的孔壁进行研磨；

S9：采用直径为12mm的羊毛磨头对直径为16.6mm的孔的孔壁进行研磨，同时向孔内加入研磨膏；

S10：采用直径为12mm的倒锥羊毛磨头对直径为16.6mm的孔的孔底抛光30秒，同时向孔内加入研磨膏。

2.如权利要求1所述的半导体精密阀门镜面处理方法，其特征在于，S1和S2中所述橡胶磨头的主轴转速为8000rpm，侧向压力为1.96N，所述羊毛磨头的主轴转速为12000rpm，侧向压力为1.96N，所述研磨膏为W28钻石研磨膏。

3.如权利要求1所述的半导体精密阀门镜面处理方法，其特征在于，所述S3由以下步骤实现:

S3.1:采用直径为12mm的800#金字塔纱布磨头以20mm/s的上下进给速度对半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔的孔壁研磨10秒，所述金字塔纱布磨头的主轴转速为2000rpm，侧向压力为4.9N；

S3.2：采用直径为12mm的1200#金字塔纱布磨头以30mm/s的上下进给速度对半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔的孔壁研磨20秒，所述金字塔纱布磨头的主轴转速为3000rpm，侧向压力为4.9N；

S3.3：采用直径为12mm的1500#金字塔纱布磨头以10mm/s的上下进给速度对半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔的孔壁研磨30秒，所述金字塔纱布磨头的主轴转速为5000rpm，侧向压力为9.8N。

4.如权利要求1所述的半导体精密阀门镜面处理方法，其特征在于，所述S4由以下步骤实现:

S4.1：向半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔加入W28钻石研磨膏，采用直径为10mm的羊毛毡磨头以10mm/s的左右移动速度对孔底研磨30秒，所述羊毛毡磨头的主轴转速为8000rpm，向下压力为9.8N；

S4.2:向半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔加入W5钻石研磨膏，采用直径为10mm的羊毛毡磨头以10mm/s的左右移动速度对孔底研磨30秒，其中羊毛毡磨头的主轴转速为12000rpm，向下压力为9.8N；然后再向孔内加入W5钻石研磨膏，采用直径为10mm的羊毛毡磨头以20mm/s的上下进给速度对孔壁研磨30秒，所述羊毛毡磨头的主轴转速为12000rpm，向下压力为9.8N；

S4.3：向半导体精密阀门侧面的直径为16.6mm的孔加入绿蜡，采用直径为12mm的羊毛毡磨头以10mm/s的左右移动速度对孔底抛光50秒，其中羊毛毡磨头的主轴转速为15000rpm，向下压力为9.8N；然后再向孔内加入绿蜡，采用直径为12mm的羊毛毡磨头以10mm/s的上下进给速度对孔壁研磨50秒，所述羊毛毡磨头的主轴转速为15000rpm，向下压力为9.8N。