[发明专利]一种多芯片封装结构和提高多芯片ESD的封装方法有效
| 申请号： | 202010055080.6 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111244085B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 马树永 | 申请（专利权）人： | 伟芯科技（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L25/04;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 | 代理人： | 向霞 |
| 地址： | 312099 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 封装 结构 提高 esd 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多芯片封装结构，包括封装体和所述封装体内的n个芯片，其中，每一所述芯片均包括ESD电路,其特征在于，所述n个芯片均包括放电接口，各芯片的ESD电路与自身的放电接口连接后，再将各芯片的放电接口按预设顺序连接，以形成ESD保护电路，具体包括：
在所述n个芯片中选择任一芯片作为公共放电芯片；
将剩下的各芯片的放电接口与所述公共放电芯片的放电接口通过封装连线直接互联。
2.根据权利要求1所述的一种多芯片封装结构，其特征在于，所述放电接口包括芯片内的VSS接口、某一电源焊盘或者某信号IO焊盘中的任意一种。
3.一种提高多芯片ESD的封装方法，其特征在于，应用于权利要求1所述的一种多芯片封装结构，所述方法包括：
将封装体内的n个芯片以堆叠或是并列的方式排列，其中，每一所述芯片均包括ESD电路和放电接口；
将各芯片的ESD电路与自身的放电接口连接；
再将各芯片的放电接口按预设顺序连接，以形成ESD保护电路，具体包括：
在所述n个芯片中选择任一芯片作为公共放电芯片；
将剩下的各芯片的放电接口与所述公共放电芯片的放电接口通过封装连线直接互联。
4.根据权利要求3所述的一种提高多芯片ESD的封装方法，其特征在于，所述放电接口包括芯片内的VSS接口、某一电源焊盘或者某信号IO焊盘中的任意一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
