[发明专利]光刻胶涂覆装置及光刻胶涂覆方法

说明书

一种光刻胶涂覆装置，包括夹盘、光刻胶喷嘴、清洗剂喷嘴、边缘曝光光源、显影剂喷嘴及调整机构，夹盘定位晶圆并带动晶圆旋转，光刻胶喷嘴向定位于夹盘上的晶圆喷涂光刻胶，清洗剂喷嘴向晶圆的边缘的光刻胶喷涂清洗剂，边缘曝光光源对晶圆的边缘的光刻胶进行曝光，显影剂喷嘴向被曝光的晶圆的边缘的光刻胶喷涂显影剂，调整机构调整清洗剂喷嘴保持喷涂的清洗剂与晶圆的表面的角度小于30度，调整机构调整显影剂喷嘴保持喷涂的显影剂与晶圆的表面的角度小于30度。本发明的提供的光刻胶涂覆装置能充分去除光刻胶，且避免清洗剂溅射至晶圆非边缘处的光刻胶上，提高光刻良率。本发明还提供一种光刻胶涂覆方法。

技术领域

本发明涉及半导体加工领域，具体涉及一种光刻胶涂覆装置及光刻胶涂覆方法。

背景技术

集成电路通常由光刻工艺制成，一般使用光源将掩模上的图案转印到晶圆表面的光刻胶上。在光刻制程中，需要将光刻胶旋涂在晶圆表面上。光刻胶的成分一般包括感光树脂、增感剂和溶剂。旋涂时，光刻胶由于旋转离心力从晶圆中心分散至晶圆边缘，光刻胶到达晶圆边缘时大部分的溶剂已经蒸发。并且，晶圆边缘相对气流较大，使溶剂蒸发的速度较晶圆中心更快。溶剂减少后光刻胶的粘性变大，则晶圆边缘处较晶圆中心的容易发生光刻胶堆积。堆积在晶圆边缘的光刻胶在后续制程中发生接触碰撞等原因产生颗粒，污染晶圆及设备。

因此，旋涂时会去除晶圆边缘处的光刻胶，一般通过装配一喷嘴，向晶圆边缘喷涂清洗剂将晶圆边缘处堆积的光刻胶去除。但是这种方式去除光刻胶的效果并不充分，还有可能将清洗剂溅射到晶圆非边缘处的光刻胶上。

发明内容

鉴于此，本发明提供一种解决上述问题的光刻胶涂覆装置及光刻胶涂覆方法。

一种光刻胶涂覆装置，包括夹盘、光刻胶喷嘴及清洗剂喷嘴，所述夹盘定位晶圆并带动所述晶圆旋转，所述光刻胶喷嘴向定位于所述夹盘上的所述晶圆喷涂光刻胶，所述清洗剂喷嘴向所述晶圆的边缘的光刻胶喷涂清洗剂，所述光刻胶涂覆装置还包括边缘曝光光源、显影剂喷嘴及调整机构，所述边缘曝光光源对所述晶圆的边缘的所述光刻胶进行曝光，所述显影剂喷嘴向被曝光的所述晶圆的边缘的所述光刻胶喷涂显影剂，所述调整机构与所述清洗剂喷嘴、所述显影剂喷嘴分别连接，所述调整机构调整所述清洗剂喷嘴保持喷涂的清洗剂与所述晶圆的表面的角度小于30度，所述调整机构调整所述显影剂喷嘴保持喷涂的显影剂与所述晶圆的表面的角度小于30度。

一种光刻胶涂覆方法，包括以下步骤：

定位晶圆并带动所述晶圆旋转；

向所述晶圆喷涂光刻胶；

向所述晶圆的边缘的光刻胶喷涂清洗剂，保持喷涂的所述清洗剂与所述晶圆的表面的角度小于30度；

对所述晶圆的边缘的光刻胶进行曝光；

向所述晶圆的边缘的光刻胶喷涂显影剂，保持喷涂的所述显影剂与所述晶圆的表面的角度小于30度。

上述光刻胶涂覆装置增设边缘曝光光源及显影剂喷嘴，对晶圆的边缘的光刻胶进行曝光及显影，使晶圆的边缘的光刻胶被充分去除，并且保持清洗剂喷嘴及显影剂喷嘴的喷涂的清洗剂及显影剂与晶圆的表面的角度小于30度，能避免清洗剂及显影剂溅射至晶圆的非边缘的光刻胶，造成光刻胶涂覆不均，提高了制程良率。

附图说明

图1是本发明一实施例提供的光刻胶涂覆装置的示意图。

图2是图1所示的光刻胶涂覆装置应用的晶圆的示意图。

图3是本发明另一实施例提供的光刻胶涂覆装置的示意图。

图4是本发明一实施例提供的光刻胶涂覆方法的流程图。

主要元件符号说明

光刻胶涂覆装置 100